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發(fā)布時間:2020-07-22 17:01  







擴散的結(jié)果使得接面附近的N型半導體失去電子得到空穴而帶正電,P型半導體失去空穴得到電子而帶負電。因為電荷密度不均因此在接面附近產(chǎn)生電場,如果有自由電子或空穴在電場內(nèi)產(chǎn)生,則會因為受到電場的作用而移動,自由電子向N型半導體移動,而電洞向P型半導體移動,因此這個區(qū)域缺乏自由電子或空穴而稱之為空乏區(qū)。此外,化合物半導體材料、非晶硅薄膜作為光電轉(zhuǎn)換材料,也得到研究和應用。當光照射在空乏區(qū)內(nèi)將硅原子的電子激發(fā)產(chǎn)生光生電子與空穴對,電子與空穴對會因為電場作用而使電池內(nèi)的電荷往兩端集中,此時只要外加電路將兩端連接即可利用電池內(nèi)的電力












它可以作為各種小型計算器及數(shù)字顯示儀表的數(shù)字顯示用。3、光電耦合器把半導體發(fā)光器件和光敏器件組合封閉裝在一起就組成了具有電---光---電轉(zhuǎn)換功能的光電耦合器。顯然,給耦合器輸入一個電信號,發(fā)光器件就發(fā)光,光被光接收1器件接收后,又轉(zhuǎn)成換成電信號輸出。因為輸入主輸出之間用光進行耦合。主要用于下述幾個方面:能源----硅光電池串聯(lián)或并聯(lián)組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造成衛(wèi)1星、宇宙飛船、航標燈、無人氣象站等設備的電源。所以輸出端對輸入端沒有反饋,具有優(yōu)良的隔離性能和抗干擾性能。光電耦合器又是光電開關,這種光電開關不存在繼電器中機械點易疲勞的問題,可靠性很高。
















如果入射光強度太高,導致器件內(nèi)電流太大,以至于電陰極和倍增極因發(fā)射二分解,就會造成光電倍增管的永1久性波壞。因此,使用光電倍增管時,應避免強光直接入射。光電倍增管一般用來測弱光信號。光電池是把光能直接變成電能的器件,可作為能源器件使用,如衛(wèi)1星上使用的太陽能電池。耗盡層光電二極管有pin層、pn層、金屬-半導體型、異質(zhì)型等CCD(ChargeCoupledDevice)即電荷耦合器件,通過輸入面上光電信號逐點的轉(zhuǎn)換、儲存和傳輸,在其輸出端產(chǎn)生一時序信號。它也可作為光電子探測器件。光電二極管有耗盡層光電二極管和雪崩光電二極管兩種。半導體pn結(jié)區(qū)附近成為耗盡層,該層的兩側(cè)是相對高的空間電荷區(qū),而耗盡層內(nèi)通常情況下并不存在電子和空穴。