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發布時間:2020-07-22 17:01  







擴散的結果使得接面附近的N型半導體失去電子得到空穴而帶正電,P型半導體失去空穴得到電子而帶負電。因為電荷密度不均因此在接面附近產生電場,如果有自由電子或空穴在電場內產生,則會因為受到電場的作用而移動,自由電子向N型半導體移動,而電洞向P型半導體移動,因此這個區域缺乏自由電子或空穴而稱之為空乏區。此外,化合物半導體材料、非晶硅薄膜作為光電轉換材料,也得到研究和應用。當光照射在空乏區內將硅原子的電子激發產生光生電子與空穴對,電子與空穴對會因為電場作用而使電池內的電荷往兩端集中,此時只要外加電路將兩端連接即可利用電池內的電力












它可以作為各種小型計算器及數字顯示儀表的數字顯示用。3、光電耦合器把半導體發光器件和光敏器件組合封閉裝在一起就組成了具有電---光---電轉換功能的光電耦合器。顯然,給耦合器輸入一個電信號,發光器件就發光,光被光接收1器件接收后,又轉成換成電信號輸出。因為輸入主輸出之間用光進行耦合。主要用于下述幾個方面:能源----硅光電池串聯或并聯組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造成衛1星、宇宙飛船、航標燈、無人氣象站等設備的電源。所以輸出端對輸入端沒有反饋,具有優良的隔離性能和抗干擾性能。光電耦合器又是光電開關,這種光電開關不存在繼電器中機械點易疲勞的問題,可靠性很高。
















如果入射光強度太高,導致器件內電流太大,以至于電陰極和倍增極因發射二分解,就會造成光電倍增管的永1久性波壞。因此,使用光電倍增管時,應避免強光直接入射。光電倍增管一般用來測弱光信號。光電池是把光能直接變成電能的器件,可作為能源器件使用,如衛1星上使用的太陽能電池。耗盡層光電二極管有pin層、pn層、金屬-半導體型、異質型等CCD(ChargeCoupledDevice)即電荷耦合器件,通過輸入面上光電信號逐點的轉換、儲存和傳輸,在其輸出端產生一時序信號。它也可作為光電子探測器件。光電二極管有耗盡層光電二極管和雪崩光電二極管兩種。半導體pn結區附近成為耗盡層,該層的兩側是相對高的空間電荷區,而耗盡層內通常情況下并不存在電子和空穴。