上海氧化鋅晶體單晶-價格合理「在線咨詢」

氧化鋅（ZnO）晶體隨著環境條件的改變形成不同結構的晶體。ZnO晶體中的化學鍵既有離子鍵的成分,又有共價鍵的成分,兩種成分的含量差不多,因而使得ZnO晶體中的化學鍵沒有離子晶體那么強,導致其在一定的外界條件下更容易發生晶體結構上的改變。氧化鋅（ZnO）單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體，其可直接躍 遷，禁帶寬度(Eg 3. 37eV)大。此外，與其它半導體材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子結合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待將其用作的發光器件材料。

氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結構,閃鋅礦結構(與金剛石類似,可看成氧原子FCC排列,4個鋅原子占據金剛石中晶胞內四個碳原子的位置);NaC結構;CsCl結構(氧原子簡單立方排列,鋅原子占據體心位置);纖鋅礦結構(六方結構,氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。氧化鋅（ZnO）晶體在1975℃同成分熔化,在較高的溫度下非常不穩定,不容易由熔體直接生長。目前主要是在盡可能低的溫度下用化學氣相輸運法、水熱法和助熔劑法生長。

氧化鋅（ZnO）單晶是具有半導體、發光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是高1性能的移動通訊基片材料和優1秀的閃爍材料；此外，氧化鋅（ZnO）與GaN的晶格失配度特別小，是GaN外延生長理想的襯底材料。同時由于具有可見區透明，機電耦合系數大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質,有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質量的GaN的襯底、未來的5GHz之外的無線通信、高電場設備、高溫高能電子器件、高電場設備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應用。