NR73G 6000P光刻膠報價質量材質上乘北京賽米萊德有限公司

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發布時間：2020-08-05 02:13

下游發展趨勢

光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%到50%。因為用掩膜版和兩種不同光刻膠結合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應，使得用負膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的核心材料。2016年全球半導體用光刻膠及配套材料市場分別達到14.5億美元和19.1億美元，分別較2015年同比增長9.0%和8.0%。預計2017和2018年全球半導體用光刻膠市場將分別達到15.3億美元和15.7億美元。隨著12寸先進技術節點生產線的興建和多次曝光工藝的大量應用，193nm及其它先進光刻膠的需求量將快速增加

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三、光刻膠涂覆（Photoresist Coating）

光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。LCD市場助力全球LCD面板總出貨面積增長，LCD光刻膠需求增加。作為光刻工藝自身的首先過程，一薄層的對紫外光敏感的有機高分子化合物，即通常所說的光刻膠，要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機中的樣品表面，(由真空負壓將樣品固定在樣品臺上)，樣品然后高速旋轉，轉速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下，膠在離心力的作用下向邊緣流動。

涂膠工序是圖形轉換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復性和接下去的顯影時間，同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應超過±5nm(對于1.5um膠厚為±0.3%)。

光刻膠的目標厚度的確定主要考慮膠自身的化學特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細程度。太厚膠會導致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。國內企業的光刻膠產品目前還主要用于PCB領域，代表企業有晶瑞股份、科華微電子。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對于特殊微結構制造，膠厚度有時希望1cm量級。在后者，旋轉涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規光刻膠涂布工序的優化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉速、環境溫度和濕度等，這些因素的穩定性很重要。

在工藝發展的早期，負膠一直在光刻工藝中占主導地位，隨著VLSI IC和2～5微米圖形尺寸的出現，負膠已不能滿足要求。隨后出現了正膠，但正膠的缺點是粘結能力差。

用正膠需要改變掩膜版的極性，這并不是簡單的圖形翻轉。光刻膠趨勢半導體光刻膠領域全球市場規模趨于穩定，2017年全球市場約13。因為用掩膜版和兩種不同光刻膠結合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應，使得用負膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。用正膠和暗場掩膜版組合會使光刻膠層上的圖形尺寸變大。

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表征光刻膠特性和性能、質量的參數有以下三個：

(1)光學性質。光刻膠的光學性質包括光敏度和折射率。近年來，盡管光刻膠研發有了一定突破，但國產光刻膠還是用不起來。

(2)力學特性和化學特性。光刻膠的力學特性和化學特性包括膠的固溶度、黏滯度、黏著度、抗蝕(刻蝕、腐蝕)性、熱穩定性、流動性和對環境氣氛(如氧氣)的敏感度。

(3)其他特性。光刻膠的其他特性包括膠的純度、膠內的金屬含量、膠的可應用范圍、膠的儲存有效期和膠的燃點。