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IC產品的生命周期

典型的IC產品的生命周期可以用一條浴缸曲線（Bathtub Curve）來表示。Ⅰ Ⅱ ⅢRegion (I) 被稱為早夭期（Infancy period）

這個階段產品的 failure rate 快速下降，造成失效的原因在于IC設計和生產過程中的缺陷；Region (II) 被稱為使用期（Useful life period）在這個階段產品的failure rate保持穩定，失效的原因往往是隨機的，比如溫度變化等等；u Region (III) 被稱為磨耗期（Wear-Out period）在這個階段failure rate 會快速升高，失效的原因就是產品的長期使用所造成的老化等。DFTCompiler可以使設計者在設計流程的前期，很快而且方便的實現高質量的測試分析，確保時序要求和測試覆蓋率要求同時得到滿足。認識了典型IC產品的生命周期，我們就可以看到，Reliability的問題就是要力圖將處于早夭期failure的產品去除并估算其良率，預計產品的使用期，并且找到failure的原因，尤其是在IC生產，封裝，存儲等方面出現的問題所造成的失效原因。下面就是一些 IC 產品可靠性等級測試項目（IC Product Level reliability testitems ）

一、使用壽命測試項目（Life test items）：EFR, OLT (HTOL), LTOL①EFR:早期失效等級測試（ Early fail Rate Test ）目的: 評估工藝的穩定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的產品。數字IC強調的是運算速度與成本比，數字IC設計的目標是在盡量低的成本下達到目標運算速度。測試條件: 在特定時間內動態提升溫度和電壓對產品進行測試失效機制：材料或工藝的缺陷，包括諸如氧化層缺陷，金屬刻鍍，離子玷污等由于生產造成的失效。

IC產品的溫馨提示

提示：濕度總是困擾在電子系統背后的一個難題。接著是察看有哪些協議要符合，像無線網卡的芯片就需要符合IEEE802。不管是在空氣流通的熱帶區域中，還是在潮濕的區域中運輸，潮濕都是顯著增加電子工業開支的原因。由于潮濕敏感性元件使用的增加，諸如薄的密間距元件(fine-pitch device)和球柵陣列(BGA, ballgrid array)使得對這個失效機制的關注也增加了。基于此原因，電子制造商們必須為預防潛在災難支付高昂的開支。

吸收到內部的潮氣是半導體封裝問題。主要的工具有：LEDALEDA是可編程的語法和設計規范檢查工具，它能夠對全芯片的VHDL和Verilog描述、或者兩者混合描述進行檢查，加速SoC的設計流程。當其固定到PCB 板上時，回流焊快速加熱將在內部形成壓力。這種高速膨脹，取決于不同封裝結構材料的熱膨脹系數（CTE）速率不同，可能產生封裝所不能承受的壓力。當元件暴露在回流焊接期間升高的溫度環境下，陷于塑料的表面貼裝元內部的潮濕會產生足夠的蒸汽壓力損傷或毀壞元件。

常見的失效模式包括塑料從芯片或引腳框上的內部分離(脫層)、金線焊接損傷、芯片損傷、和不會延伸到元件表面的內部裂紋等。net）更重要的是，藉由這個方法可以增加Gate端和下層的接觸面積。在一些極端的情況中，裂紋會延伸到元件的表面；嚴重的情況就是元件鼓脹和爆裂(叫做“爆米花”效益)。盡管現在，進行回流焊操作時，在180℃ ~200℃時少量的濕度是可以接受的。然而，在230℃ ~260℃的范圍中的無鉛工藝里，任何濕度的存在都能夠形成足夠導致破壞封裝的?。ū谆睿┗虿牧戏謱印?

必須進行明智的封裝材料選擇、仔細控制的組裝環境和在運輸中采用密封包裝及放置干燥劑等措施。根據設計的功能需求和算法分析的結果，設計芯片的架構，并對不同的方案進行比較。實際上國外經常使用裝備有射頻標簽的濕度跟蹤系統、局部控制單元和專用軟件來顯示封裝、測試流水線、運輸/操作及組裝操作中的濕度控制。②THB: 加速式溫濕度及偏壓測試（Temperature Humidity Bias Test ）

目的: 評估IC產品在高溫，高濕，偏壓條件下對濕氣的抵抗能力，加速其失效進程測試條件: 85℃，85%RH, 1.1 VCC, Static bias

IC半導體的基礎知識(一)

一、物理基礎    所有物質按照導電能力的差別可分為導體、半導體和絕緣體三類?？蓽y試性設計（即DesignForTest），通常用來檢測和調試生產過程中的良率問題。半導體材料的導電性能介于導體和絕緣體之間?；蛘哒f，半導體是介于導體和絕緣體之間的物質。常用的半導體材料有：元素半導體硅(Si)和鍺(Ge)、化合物半導體(GaAs)等。導體的電阻率在10-4Ω?cm以下，如銅的電阻率為1.67×10-6 Ω?cm，絕緣體的電阻率在1010 Ω?cm以上，半導體的電阻率在10-3Ω?cm～109Ω?cm之間，與導體的電阻率相比較，半導體的電阻率有以下特點。

1.對溫度反映靈敏

導體的電阻率隨溫度的升高略有升高，如銅的電阻率僅增加0.4%左右，但半導體的電阻率則隨溫度的上升而急劇下降，如純鍺，溫度從20℃上升到30℃時，電阻率降低一半左右。

2.雜質的影響顯著

金屬中含有少量雜質其電阻率不會發生顯著變化，但是，極微量的雜質摻在半導體中，會引起電阻率的極大變化。如在純硅中加入百萬分之一的硼，就可以使硅的電阻率從2.3×105 Ω?cm急劇減少到0.4 Ω?cm左右。

3.光照可以改變電阻率

例如，有些半導體(如)受到光照時，其導電能力會變得很強；當無光照時，又變得像絕緣體那樣不導電，利用這種特性可以制成光敏元件。而金屬的電阻率則不受光照的影響。

溫度、雜質、光照對半導體電阻率的上述控制作用是制作各種半導體器件的物理基礎。

數字IC低功耗物理設計

隨著集成電路生產工藝的迅速發展,功耗作為芯片質量的重要衡量標準引起了國內外學者越來越多的重視和研究。虛接口可以定義為類的一個成員，可以通過構造函數的參數或者過程進行初始化。當晶體管的特征尺寸減小到納米級時,其泄露電流的增加、工作頻率的提高和晶體管門數的攀升極大提高了芯片的功耗。同時,傳統的基于UPF(Unified Power Format)的低功耗設計流程存在著效率低、可修復性差等缺點。針對以上問題,以14 nm工藝下數字芯片fch_sata_t模塊為例,簡要介紹了全新的基于CUPF(Ctant UPF)的低功耗物理設計流程,利用門控電源和多電源電壓等技術對芯片進行低功耗設計。終,通過Synopsys旗下PrimetimePX提供功耗分析結果,證明了芯片功耗滿足設計要求。

深圳瑞泰威科技有限公司是國內IC電子元器件的代理銷售企業，專業從事各類驅動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。與國內外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準等均穩定合作，保證產品的品質和穩定供貨。自公司成立以來，飛速發展，產品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費類IC等行業。對于CDN的SiliconEnsemble而言后端設計所需的數據主要有是Foundry廠提供的標準單元、宏單元和I/OPad的庫文件，它包括物理庫、時序庫及網表庫，分別以。