您好，歡迎來到易龍商務網！
全國咨詢熱線：13008867918
【廣告】
發布時間：2020-07-20 18:45
IGBT測試裝置技術要求 （1）設備功能 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態參數測試。系統的測試原理符合相應的國家標準，系統為獨立式單元，封閉式結構，具有升級擴展潛能。 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態參數測試，在IGBT的檢測中，采用大電流脈沖對IGBT進行VCE飽和壓降及續流二極管壓降的檢測。為提供穩定的大電流脈沖，采用了支撐電容補償及步進充電的方法，解決IGBT進行VCE飽和壓降及續流二極管壓降的檢測問題。測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。
大功率半導體器件為何有老化的問題？
任何產品都有設計使用壽命，同一種產品不同的使用環境和是否得到相應的維護，延長產品使用壽命和設備良好運行具有極為重要。功率元件由于經常有大電流往復的沖擊，對半導體結構均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經常在其安全工作區的邊緣，更會加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問題。半導體元件有許多參數都很重要，有些參數如：放大倍率，觸發參數，閂扣，保持參數，崩潰電壓等，是提供給工程師在設計電路時的依據，在檢測元件是否有老化的現象時，僅須測量導通參數及漏電流二項即可。
3.1開通時間Ton測試原理框圖 圖3-1開通時間測試原理框圖 其中：Vcc 試驗電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測器件（實際起作用的是器件中的續流二極管） L 負載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測器件 開通時間定義（見下圖）：柵極觸發信號第二個脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時間間隔為開通延遲時間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時間間隔即為電流上升時間tr ，則ton= td （on） tr
