貴州大功率IGBT測試儀現貨供應全國發貨

1.1 設備數量 1套 * 1.2 設備功能 測試功率半導體器件靜態參數 * 1.3 設備組成 設備包含硬件模塊和軟件模塊兩大部分 * 1.4 硬件模塊 設備硬件部分應包括測試主機、測試線纜，測試夾具、控制電腦等 * 1.5 軟件模塊 設備軟件部分應包括： 1.操作系統、備份、保存、遠程控制編輯、上傳、故障自檢報警等基本功能；當這兩個參數通過后，便表示元件基本上良好，再進一步作其他參數的測量，以分辨其中的優劣。 2. 圖形化操作界面；中/英文操作系統 3.輸出EXCEL、wor測試報告 *4.切換大小功率測試模塊，達到相應測試精度 *5.可生成器件的I-V特性曲線，曲線上測試點數據可以導出到EXCEL表格； *6.同一測試條件的器件的測試曲線可以在軟件內進行對比，新測曲線可以與原測曲線進行對比； 2、設備尺寸 2.1 設備總體長度 ≤ 700 mm 2.2 設備總體寬度 ≤600mm 2.3 設備總體高度 ≤500mm

測試的IGBT參數包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導）、rCE（導通電阻）等全直流參數, 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內重復測試精度。2關斷：turnoff(tdoff,tf,Eoff,Ic,Poff)。

半導體元件全自動測試系統，可以元件在真正工作狀態下的電流及電壓，并測量重要參數的數據，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。賣方出廠試驗詳細方案應提前提交買方評估，通過買方評估合格后實施方可視為有效試驗。每個電流模塊，都具有獨立的供電系統，以便在測試時，提供內部電路及電池組充電之用； 可選購外部高壓模塊，執行關閉狀態參數測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。

3、系統基本參數

3.1 電 壓 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；

3.2 加熱功能：室溫～150℃；

3.3 測試功能：可測試IGBT模塊及FRD；

3.4 環境溫度：25℃±15℃；

3.5 環境濕度：50% ±20% （相對濕度）

4、動態測試基本配置

4.1 集電級電壓 Vcc： 50 ~ 1000V；

4.2 集電極電流 Ic： 50 ~ 1000A 感性負載；

4.3 電流持續時間 It： 10 ~ 1000 us 單個脈沖或雙脈沖的總時間； 4.4 脈 沖 模 式： 單脈沖和雙脈沖；

4.5 單電流脈沖的設置： Vcc，Ic, 電感值（自動計算脈寬）；

4.6 雙電流脈沖的設置： Vcc, Ic, 電感值，間隙時間（10到50us）(脈寬自動計算)；

（開啟Qrr測試：第二個脈寬＝間隙時間，10~50us）；

4.7 設備寄生電感 Lint: < 65nH（感性動態測試）。

13）被測器件旁路開關 被測安全接地開關，設備不運行時，被測接地。 ?電流能力 DC 50A ?隔離耐壓 15kV ?響應時間 150ms ?工作方式 氣動控制 ?工作氣壓 0.4MPa ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 14）工控機及操作系統 用于控制及數據處理，采用定制化系統，主要技術參數要求如下： ?機箱：4Μ 15槽上架式機箱； ?支持ATX母板；9A±3%±50mA 10A～50A±3%±1A 3、EA：10mJ～20J 10mJ～1000mJ±3%±1mJ 1J～20J±3%±10mJ 4、脈沖寬度：40—1000uS可設定 5、測試頻率：單次 2。 ?CPΜ：INTEL雙核； ?主板：研華SIMB； ?硬盤：1TB；內存4G； ?3個5.25”和1個3.5”外部驅動器； ?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。 ?西門子PLC邏輯控制