氣相化學沉積設備-沈陽鵬程公司-氣相化學沉積設備哪家好

ICP刻蝕機的結構

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ICP設備主要包括預真空室、刻蝕腔、供氣系統和真空系統四部分。

（1）預真空室預真空室的作用是確?？涛g腔內維持在設定的真空度，不受外界環境（如：粉塵、水汽）的影響，將危險性氣體與潔凈廠房隔離開來。它由蓋板、機械手、傳動機構、隔離門等組成。

（2）刻蝕腔體刻蝕腔體是ICP 刻蝕設備的結構，它對刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響?？涛g腔的主要組成有：上電極、ICP 射頻單元、RF 射頻單元、下電極系統、控溫系統等組成。

（3）供氣系統供氣系統是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體，通過壓力控制器（PC）和質量流量控制器（MFC）準確的控制氣體的流速和流量。氣體供應系統由氣源瓶、氣體輸送管道、控制系統、混合單元等組成。

（4）真空系統真空系統有兩套，分別用于預真空室和刻蝕腔體。預真空室由機械泵單獨抽真空，只有在預真空室真空度達到設定值時，才能打開隔離門，進行傳送片?？涛g腔體的真空由機械泵和分子泵共同提供，刻蝕腔體反應生成的氣體也由真空系統排空。

化學氣相沉積的特點

化學氣相沉積法之所以得到發展，氣相化學沉積設備哪家好，是和它本身的特點分不開的，其特點如下。

I) 沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。

2) CVD反應在常壓或低真空進行，鍍膜的繞射性好，對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆。

3) 能得到純度高、致密性好、殘余應力小、結晶良好的薄膜鍍層。由于反應氣體、反應產物和基體的相互擴散，可以得到附著力好的膜層，氣相化學沉積設備廠家，這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。

4) 由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多，氣相化學沉積設備，由此可以得到純度高、結晶完全的膜層，這是有些半導體膜層所必須的。

5) 利用調節沉積的參數，可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結構和晶粒度等。

6) 設備簡單、操作維修方便。

7) 反應溫度太高，一般要850~ 1100℃下進行，許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。采用等離子或激光輔助技術可以降低沉積溫度。

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化學氣相沉積法簡介

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化學氣相堆積(簡稱CVD)是反響物質在氣態條件下發生化學反響，生成固態物質堆積在加熱的固態基體外表，進而制得固體資料的工藝技術。它本質上歸于原子領域的氣態傳質進程。

化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機資料的新技術?；瘜W氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研發新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜資料。這些資料可所以氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可所以III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，并且它們的物理功用能夠通過氣相摻雜的淀積進程準確操控。現在，化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域。

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