湖南磁控濺射鍍膜機原理承諾守信「在線咨詢」

磁控濺射鍍膜機工藝

（1）技術方案 磁控濺射鍍光學膜，有以下三種技術路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時候為了得到更高的膜層純度，也需要通入一定量反應氣體）； （b）反應濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應氣體的混合氣體，進行濺射沉積各種化合物膜層。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應氣體離子源，將膜層進行氧化或者氮化等。如果轟擊離子能量很高時，濺射的原子數與轟擊離子數之比值將減小，這是因為轟擊離子能量過高而發生離子注入現象的緣故。 采用以上三種技術方案，在濺射沉積光學膜時，都會存在靶zhong毒現象，從而導致膜層沉積速度非常慢，對于上節介紹各種光學膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達數百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學上的應用。

（2）新型反應濺射技術 筆者對現有反應濺射技術方案進行了改進，開發出新的反應濺射技術，解決了鍍膜沉積速度問題，同時膜層的純度達到光學級別要求。表2.1是采用新型反應濺射沉積技術，膜層沉積速度對比情況。

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磁控濺射法的優勢

目前常用的制備CoPt 磁性薄膜的方法是磁控濺射法。磁控濺射法是在高真空充入適量的ya氣，在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁) 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電，使ya氣發生電離。磁控濺射鍍膜的特點1、靶材粒子能量高（比熱蒸發高出1個數量級），所制備膜層更致密，與石英片結合力更高：2、一般備有輔助離子源，可以用來清洗石英片，清洗效果好。ya離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面，將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成薄膜。通過更換不同材質的靶和控制不同的濺射時間，便可以獲得不同材質和不同厚度的薄膜。磁控濺射法具有鍍膜層與基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻等優點。

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磁控濺射

磁控濺射是物理氣相沉積（Physical Vapor Deition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。