封裝用IGBT測試儀批發(fā)按需定制 華科IGBT測試臺

主要參數(shù) 測試范圍 精度要求 測試條件

Vce

集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開通/關(guān)斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開通/關(guān)斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

表格12動態(tài)參數(shù)測試部分組成

序號 組成部分 單位 數(shù)量

1 可調(diào)充電電源 套 1

2 直流電容器 個 8

3 動態(tài)測試負(fù)載電感 套 1

4 安全工作區(qū)測試負(fù)載電感 套 1

5 補(bǔ)充充電回路限流電感L 個 1

6 短路保護(hù)放電回路 套 1

7 正常放電回路 套 1

8 高壓大功率開關(guān) 個 5

9 尖峰抑制電容 個 1

10 主回路正向?qū)ňчl管 個 2

11 動態(tài)測試?yán)m(xù)流二極管 個 2

12 安全工作區(qū)測試?yán)m(xù)流二極管 個 3

13 被測器件旁路開關(guān) 個 1

14 工控機(jī)及操作系統(tǒng) 套 1

15 數(shù)據(jù)采集與處理單元 套 1

16 機(jī)柜及其面板 套 1

17 壓接夾具及其配套系統(tǒng) 套 1

18 加熱裝置 套 1

19 其他輔件 套 1

14）工控機(jī)及操作系統(tǒng)

用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?機(jī)箱：4Μ 15槽上架式機(jī)箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL雙核；

?主板：研華SIMB；

?硬盤：1TB；內(nèi)存4G；

?3個5.25”和1個3.5”外部驅(qū)動器；

?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。

?西門子PLC邏輯控制

15）數(shù)據(jù)采集與處理單元

用于數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?電流探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?狀態(tài)監(jiān)測：NI數(shù)據(jù)采集卡

?上位機(jī)：基于Labview人機(jī)界面

?數(shù)據(jù)提取：測試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數(shù)據(jù)格式，特別是動態(tài)測試波形可存儲為數(shù)據(jù)格式；所檢測數(shù)據(jù)可傳遞至上位機(jī)處理；從檢測部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)經(jīng)上位機(jī)處理后可自動列表顯示相應(yīng)測試數(shù)據(jù)；?數(shù)據(jù)處理和狀態(tài)檢測部分內(nèi)容可擴(kuò)展