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              淮北多弧離子鍍膜機按需定制 至成鍍膜機生產廠家

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              發布時間:2021-09-10 16:50  









              至成鍍膜機多靶離子束濺射鍍膜機


              至成鍍膜機多靶離子束濺射鍍膜機是研究超導、類金剛石、光學、磁性等高質量薄膜和材料表面改性的光機一體化的現代化鍍膜設備。該機采用四靶、雙離子源、離子源為考夫曼源。其原理是利用具有1500ev能量的正離子束或中性粒子轟擊靶材料,使材料表面的原子和分子從母材中濺射出來,沉積在基片上成膜。可鍍制任意材料,包括金屬、合金、超導體、半導體、絕緣體等。該機采用80年代剛剛發展起來的離子束濺射技術,利用雙離子源、主槍,對靶材轟擊,輔槍在鍍前對基片進行清洗,增強基片的活性,提高結合力及純度。沉積過程中低能轟擊膜,增強沉積原子表面擴散和遷移,減少薄膜結晶結的缺陷,并配有對基片處理的各種功能,如加熱、冷卻、旋轉、激光處理、掩膜等。引出柵φ25mm離子能量,1500ev能量束流大于80mA。



              真空鍍膜的膜層厚度如何測量?


              在使用真空鍍膜機鍍膜之后,為了需要可能會要測量膜層的厚度,測量膜層的厚度用什么方法呢?

              直接的鍍膜控制方法是石英晶體微量平衡法(QCM),這種儀器可以直接驅動蒸發源,通過PID控制循環驅動擋板,保持蒸發速率。

              只要將儀器與系統控制軟件相連接,它就可以控制整個的鍍膜過程。但是(QCM)的精準度是有限的,部分原因是由于它監控的是被鍍膜的質量而不是其光學厚度。

              此外雖然QCM在較低溫度下非常穩定,但溫度較高時,它會變得對溫度非常敏感。在長時間的加熱過程中,很難阻止傳感器跌入這個敏感區域,從而對膜層造成重大誤差。

              光學監控是高精密鍍膜的的優選監控方式,這是因為它可以更精準地控制膜層厚度(如果運用得當)。

              精準度的改進源于很多因素,但根本的原因是對光學厚度的監控。



              離子真空鍍膜機鍍膜工藝及鍍膜產品表面防腐方法


              不銹鋼基材通常會用拋光、拉絲、噴砂、化學蝕刻、激光雕刻、數控機床雕刻等作表面美工處理,有的還用激光焊接,水法電鍍鎳鉻層等。那么離子真空鍍膜機啟到了很關鍵的作用,今天至成小編為大家講解一下離子真空鍍膜機鍍膜工藝及鍍膜產品表面防腐方法。

              其實大家都知道,以上介紹幾種不銹鋼基材表面處理方法,各自有各自的優勢和劣勢。如:拋光作業會在工件上殘留難以去除的硬化了的拋光蠟;尼龍輪拉絲在拉絲溝上會殘留透明的不易發現的高分子化合物;砂輪拉絲可能殘留磨粒和粘結劑,或因摩擦過熱產生氧化皮;噴砂會有陶瓷砂粒﹑玻璃砂粒、氧化鋁砂粒殘留鑲嵌在表面上;化學蝕刻會有腐蝕產物殘留在腐蝕坑內,或在其它非腐蝕表面上殘留用于防腐蝕的保護物質;激光雕刻處理會產生高溫氧化皮和燒蝕基體碎片殘留;數控機床雕刻會有高溫氧化皮和切削油殘留,還會有基材碎片被壓入基體上;激光焊接也會導致高溫氧化等;水法電鍍鉻層會生成難以去除的復雜氧化物,這些處理引起的污染不徹底清除會導致離子鍍過程打火、鍍層假附著、掉膜、顏色不均等不良。


              在離子真空鍍膜機鍍產品中美工處理方式往往不是單一的,而是多種作業組合,這更增加了鍍前清洗的困難。采用傳統的超聲去油除蠟的方法是不能勝任的,必須調整清洗工藝,對不同的污染,可選擇機械清除、氣相清洗﹑真空加熱后再清洗、陰極電解﹑陽極電解、或采用針對性的清洗劑等等。這些綜合措施可取得較好的效果,但對有些污染仍未找到理想的解決辦法。新近等離子體拋光方法應用到鍍前清洗是值得關注的技術,該技術在某些鍍層的褪鍍取得良好效果。



              多弧離子真空鍍膜機的由來


              我國在真空鍍膜行業,目前更多的應用都集中在裝飾方面,對能有效地提高關鍵部件使用壽命機械功能薄膜的制備設備、工藝及應用研究方面還遠遠落后于國外先進水平。同時,裝飾鍍方面也逐漸向耐磨和裝飾雙重功能的方向發展,之前的離子鍍膜機已體現出不能滿足裝飾鍍要求的問題。本技術的研發成功,將打破國內機械功能耐磨減摩薄膜完全依靠國外技術的被動局面;對提高我國裝備制造業的技術水平和真空離子鍍的技術發展都是一個非常好的作用。另外,將制備的耐磨減摩薄膜應用于其它關鍵部件中,起到了非常好的節約能源和提率的作用,可替代部分原來電鍍的工藝,對環境保護起到很好的作用。


              目前,國際上機械功能硬質薄膜(特別是刀具用膜層)大多采用陰極電弧沉積技術,但陰極電弧沉積存在的主要技術問題是所制備的膜層表面不夠光潔,有較多的顆粒,影響應用性能;特別是國內制造的陰極電弧沉積設備顆粒問題尤為嚴重。在此技術基礎上引入磁過濾技術,雖可解決表面沉積的顆粒問題,但沉積效率只有原來的1/10左右,并且沉積面積小,從而使生產周期長,制造成本高,不適合大批量鍍膜生產應用。而磁控濺射技術所制備的膜層表面光潔、細膩,沉積速率適中,能均勻地大面積沉積薄膜。但磁控濺射技術也存在離化率低(一般在10%),所制備的膜層在硬度、耐磨性及結合力上不如陰極電弧技術所制備的膜層;在進行化學反應性鍍膜(如TiN、TiO2)時,由于金屬粒子的離化率低、反應活性差,必須過量通入反應性氣體,造成磁控靶面的毒化(化學反應),引起蒸發速率急劇降低等一系列雪崩式后果,使得磁控濺射反應鍍膜存在著不穩定性和不可控性。



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