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              激光脈沖沉積裝置價格推薦「沈陽鵬程」

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              發布時間:2021-05-10 10:51  






              脈沖激光沉積簡介

              隨著現代科學和技術的發展,薄膜科學已成為近年來迅速發展的學科領域之一,是凝聚態物理學和材料科學的一個重要研究領域。功能薄膜是薄膜研究的主要方面,它不僅具有豐富的物理內涵,而且在微電子、光電子、超導材料等領域具有十分廣泛的應用。長期以來,人們發明了多種制膜技術和方法:真空蒸發沉積、離子束濺射、磁控濺射沉積、分子束外延、金屬有機化學氣相沉積、溶膠- 凝膠法等。在第二階段,根據氣體動力學定律,發射出來的物質有移向基片的傾向,并出現向前散射峰化現象。上述方法各有特點,并在一些領域得到應用。但由于其各有局限性,仍然不能滿足薄膜研究的發展及多種薄膜制備的需要。隨著激光技術和設備的發展,特別是高功率脈沖激光技術的發展,脈沖激光沉積(PLD)技術的特點逐漸被人們認識和接受

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              脈沖激光沉積

              以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供,希望對同行業的朋友有所幫助。

              在一階段,激光束聚焦在靶的表面。達到足夠的高能量通量與短脈沖寬度時,靶表面的一切元素會快速受熱,到達蒸發溫度。物質會從靶中分離出來,而蒸發出來的物質的成分與靶的化學計量相同。PLD450型脈沖激光鍍膜介紹沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業脈沖激光沉積供應商,我們為您帶來以下信息。物質的瞬時熔化率大大取決于激光照射到靶上的流量。熔化機制涉及許多復雜的物理現象,例如碰撞、熱,與電子的激發、層離,以及流體力學。

              在第二階段,根據氣體動力學定律,發射出來的物質有移向基片的傾向,并出現向前散射峰化現象。空間厚度隨函數cosnθ而變化,而n>>1。激光光斑的面積與等離子的溫度,對沉積膜是否均勻有重要的影響。【設備主要組成】設備由沉積腔室(單室球形或圓筒形)、樣品加熱轉臺、激光入射轉靶、激光窗、電源控制系統、激光束掃描系統、計算機控制轉靶的旋轉、脈沖準分子激光器等組成。靶與基片的距離是另一個因素,支配熔化物質的角度范圍。亦發現,將一塊障板放近基片會縮小角度范圍。

              第三階段是決定薄膜質量的關鍵。放出的高能核素碰擊基片表面,可能對基片造成各種破壞。高能核素濺射表面的部分原子,而在入射流與受濺射原子之間,建立了一個碰撞區。磁力桿傳送基底到基底旋轉器上,可手動或電動降低旋轉器,實現簡單快速地更換4。膜在這個熱能區(碰撞區)形成后立即生成,這個區域正好成為凝結粒子的較佳場所。只要凝結率比受濺射粒子的釋放率高,熱平衡狀況便能夠快速達到,由於熔化粒子流減弱,膜便能在基片表面生成。



              脈沖激光沉積的應用領域

              沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業生產、銷售脈沖激光沉積,以下信息由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供。

              脈沖激光沉積技術適合做的薄膜包括各種多元氧化物,氮化物,硫化物薄膜,金屬薄膜,磁性材料等。

              應用領域:

              單晶薄膜外延(SrTiO3,LaAlO3)

              壓電薄膜(PZT,AlN,BiFeO3,BaTiO3)

              鐵電薄膜(BaTiO3,KH2PO4)

              熱電薄膜(SrTiO3)

              金屬和化合物薄膜電極(Ti,Ag,Au,Pt,Ni,Co,SrRuO3,LaNiO3,YZrO2,GdCeO2,LaSrCoFeO3)

              半導體薄膜(Zn(Mg)O,AlN,SrTiO3)

              高K介質薄膜(HfO2,CeO2,Al2O3,BaTiO3,SrTiO3,PbZrTiO3,LaAlO3,Ta2O5)

              超導薄膜(YBa2CuO7-x,BiSrCaCuO)

              光波導,光學薄膜(PZT,AlN,BaTiO3,Al2O3,ZrO2,TiO2)

              超疏水薄膜(PTFE)

              紅外探測薄膜(V2O5,PZT)



              脈沖激光沉積系統的配置介紹

              沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業生產、銷售脈沖激光沉積,我們為您分析該產品的以下信息。

              1.靶: 數量6個,大小1-2英寸,被激光照射時可自動旋轉,靶的選擇可通過步進電機控制;

              2.基板:采用適合于氧氣環境鉑金加熱片,大小2英寸,加熱溫度可達1200攝氏度,溫度差<3%,加熱時基板可旋轉,工作環境的壓力可達300mtorr;

              3.基板加熱電源,高到1200度;

              4.超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質,內表面電解拋光,本底真空度<5e-8 pa;

              5.樣品搬運室:不銹鋼sus304材質,內表面電解拋光,本底真空度<5e-5 pa;

              6.排氣系統:分子泵和干式機械泵;

              7.閥門: 采用超高真空擋板閥;

              8.真空檢測:真空計;

              9.氣路兩套: 采用氣體流量計控制;

              10.薄膜生長監控系統: 采用掃描型差分RHEED;

              11.監控系統:基板溫度的監控和設定,基板和靶的旋轉,靶的更換等;

              12.各種電流導入及測溫端子;

              13.其它各種構造:各種超高真空位移臺,磁力傳輸桿,超高真空法蘭,超高真空密封墊圈,超高真空用波紋管等;



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