微弧氧化技術要求全國發貨

溫度對微弧氧化的影響

       微弧氧化與陽極氧化不同，所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且溫度高，會形成水氣。特別對于氧化膜要求很厚的樣品可以分幾次氧化，而陽極氧化一旦中斷就必須重新開始。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統以控制槽液溫度。所以微弧氧化過程中一定要控制好溫度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術、微弧氧化電源

微弧氧化技術

      在微弧氧化過程中，化學氧化、電化學氧化、等離子體氧化同時存在，因此陶瓷層的形成過程非常復雜，至今還沒有一個合理的模型能描述陶瓷層的形成。

      微弧氧化膜層與基體結合牢固，結構致密，韌性高，具有良好的耐磨、耐腐蝕、耐高溫沖擊和電絕緣等特性。3、可處理的材料鎂、鋁、鈦、鋯、鉭、鈮等及其合金材料（包括含硅量較高的鋁合金）。微弧氧化技術具有操作簡單和易于實現膜層功能調節的特點，而且工藝不復雜，不造成環境污染，是一項全新的綠色環保型材料表面處理技術，在航空航天、機械、電子、裝飾等領域具有廣闊的應用前景。

微弧氧化技術應用前景

      微弧氧化技術具有很多優點，如工藝簡單、不引入有毒物，符合當今清潔生產發展的要求，對要處理的零件形狀沒有特殊要求，特別是對異型零件、孔洞、焊縫的可加工能力強于其他表面陶瓷化工藝，因此微弧氧化技術在軍事、航空、航天、鐵路、機械、紡織、汽車、、電子、裝飾等許多領域有廣泛的應用前景。隨著電壓的繼續不斷升高，氧化膜的表面會出現輝光放電，微弧和火花放電燈現象。采用微弧氧化技術所制備的陶瓷膜同時具備了陽極氧化膜和陶瓷噴涂層兩者的優點，可以部分替代陽極氧化膜和陶瓷噴涂的產品。