肖特基二極管符號臺灣ASEMI品牌「強元芯電子」

編輯：DD

在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極)時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。

　　采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管(雙二極管)式兩種封裝形式

關于肖特基二極管的應用，ASEMI總結出以下幾點：

肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低（0.4—1.0V）、反向恢復時間很短（0-10納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。

肖特基二極管屬于低功耗、大電流、超高速半導體器件，其反向恢復時間可小到幾納秒，正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安。

　　肖特基二極管與PN結二極管在構造原理上有一定區別。這種管子的缺點是反向耐壓較低，一般不超過100V，適宜在低電壓、大電流的條件下工作。液晶彩電DC-DC變換器中的二極管一般采用的就是肖特基二極管。

　　需要說明的是，很多肖特基二極管和快恢復二極管有三只引腳，外形酷似晶體管。其實，這是一種內含兩個肖特基二極管的復合二極管，其中一只腳為公共正極，另兩只腳分別為兩只二極管的負極，可用萬用表方便地進行判斷，

MURF1060CT 強元芯ASEMI核芯動力 快恢復實力彰顯！

采用了臺灣健鼎的一體化測試設備，減少人工操作環節，同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數經過6道檢測。更是打破業界測試標準，將漏電流有5uA加嚴到2uA以內；正向壓降Vf由1.0V加嚴到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內。其采用俄羅斯進口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩定，可信賴度佳。