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化學氣相沉積技術類型介紹

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化學氣相沉積裝置主要的元件就是反應器。按照反應器結構上的差別，我們可以把化學氣相沉積技術分成開管/封管氣流法兩種類型：

1 封管法這種反應方式是將一定量的反應物質和集體放置于反應器的兩邊，將反應器中抽成真空， 再向其中注入部分輸運氣體，然后再次密封， 再控制反應器兩端的溫度使其有一定差別，它的優點是：①能有效夠避免外部污染；②無須持續抽氣就能使是內部保持真空。

2 開管法這種制備方法的特點是反應氣體混合物能夠隨時補充。化學氣相沉積的特點以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，希望對同行業的朋友有所幫助。廢氣也可以及時排出反應裝置。以加熱方法為區分，開管氣流法應分為熱壁和冷壁兩種。前者的加熱會讓整個沉積室壁都會因此變熱，所以管壁上同樣會發生沉積。冷壁式加熱一般會使用感應加熱、通電加熱以及紅外加熱等等。

化學氣相沉積技術在材料制備中的使用

化學氣相沉積技術生產多晶/非晶材料膜：

化學氣相沉積法在半導體工業中有著比較廣泛的應用。化學氣相沉積是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。比如作為緣介質隔離層的多晶硅沉積層。在當代，微型電子學元器件中越來越多的使用新型非晶態材料，這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外，也有一些在未來有可能發展成開關以及存儲記憶材料，例如氧化銅-氧化銅等都可以使用化學氣相沉積法進行生產。

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等離子體化學氣相沉積原理及特點

原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方，吸附在基體表面的反應粒子受高能電子轟擊，結合鍵斷裂成為活性粒子，化學反應生成固態膜。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見（比如制備W、Mo、Pt、Ir等）以及個別的化合物單晶薄膜（例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等）。沉積時，基體可加熱，亦可不加熱。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運，氣態物質激發及化學反應等。主要工藝參數有：放電功率、基體溫度、反應壓力及源氣體成分。主要特點是可顯著降低反應溫度，已用于多種薄膜材料的制備。

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ICP刻蝕機的結構

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ICP設備主要包括預真空室、刻蝕腔、供氣系統和真空系統四部分。

（1）預真空室預真空室的作用是確保刻蝕腔內維持在設定的真空度，不受外界環境（如：粉塵、水汽）的影響，將危險性氣體與潔凈廠房隔離開來。它由蓋板、機械手、傳動機構、隔離門等組成。

（2）刻蝕腔體刻蝕腔體是ICP 刻蝕設備的核心結構，它對刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響。刻蝕腔的主要組成有：上電極、ICP 射頻單元、RF 射頻單元、下電極系統、控溫系統等組成。

（3）供氣系統供氣系統是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體，通過壓力控制器（PC）和質量流量控制器（MFC）準確的控制氣體的流速和流量。氣體供應系統由氣源瓶、氣體輸送管道、控制系統、混合單元等組成。

（4）真空系統真空系統有兩套，分別用于預真空室和刻蝕腔體。預真空室由機械泵單獨抽真空，只有在預真空室真空度達到設定值時，才能打開隔離門，進行傳送片。刻蝕腔體的真空由機械泵和分子泵共同提供，刻蝕腔體反應生成的氣體也由真空系統排空。