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LTCC基板電路概述

目前的集成封裝技術(shù)主要有薄膜技術(shù)、硅片半導(dǎo)體技術(shù)、多層電路板技術(shù)以及LTCC技術(shù)。LTCC技術(shù)是一種低成本封裝的解決方法，具有研制周期短的特點(diǎn)。低溫共燒陶瓷技術(shù)可滿足后者輕，薄，短，小的需求。然而，低溫共燒陶瓷基板具有高硬度和易碎的特性。因此，當(dāng)切割機(jī)切割硬基板，在基板和切割刀片之間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)較大的摩擦力，該摩擦產(chǎn)生的應(yīng)力轉(zhuǎn)移到切割刀片。這會(huì)導(dǎo)致以LTCC為基板的電子產(chǎn)品合格率和產(chǎn)量的下降。因此，當(dāng)陶瓷基板被切割加工時(shí)如何提高產(chǎn)品的得率是一個(gè)重要的課題。 圖1為典型的LTCC基板示意圖[3]，由此可知，采用LTCC工藝制作的基板具有可實(shí)現(xiàn)集成電路芯片封裝、內(nèi)埋置無(wú)源元件及高密度電路組裝的功能。

掩模印刷法

當(dāng)所需填充的通孔為100μm 或要求更高時(shí)， 用于標(biāo)準(zhǔn)通孔的掩模印刷設(shè)置是不夠的。填充標(biāo)準(zhǔn)通孔典型的印刷設(shè)置是單次印刷， 中等速度( 10-20 mm/ s ) 和中等壓力， 為了對(duì)100μm及以下的通孔進(jìn)行高質(zhì)量的填充， 需要進(jìn)行多重印刷， 提高壓力并改善其他設(shè)置。為了滿足75-150μm 通孔無(wú)缺陷的填充， 還需對(duì)印刷漿料量進(jìn)行校正， 根據(jù)通孔的尺寸改變模版孔的開(kāi)口。如100μm 的通孔需要稍大的模版開(kāi)口， 以使垂直方向的填充。該方法也改善了在印刷期間模版與瓷帶間的對(duì)準(zhǔn)情況。150μm 的通孔所需的模版開(kāi)口稍有減小， 以消除漿料污點(diǎn)。

濾波器原理設(shè)計(jì)

帶通濾波器通過(guò)若干諧振電路的組合，實(shí)現(xiàn)濾波效應(yīng)。帶狀線型濾波器的諧振單元不再選用集總模式下的電感電容，而是通過(guò)一段傳輸線來(lái)實(shí)現(xiàn)。此款帶通濾波器選擇六條帶狀線形成帶通效應(yīng)，等效為六個(gè)諧振單元，相鄰諧振單元之間通過(guò)磁耦合的方式傳遞能量。初步設(shè)計(jì)出的六級(jí)帶狀線帶通濾波器，雖然有著帶通濾波的作用，但性能不佳，阻帶插損不夠，與既定的技術(shù)指標(biāo)相去甚遠(yuǎn)。因此，考慮引入Z字形結(jié)構(gòu)，通過(guò)交叉耦合的方式來(lái)引入傳輸零點(diǎn)，以期改善其不良的邊帶抑制度問(wèn)題。

此時(shí)已基本達(dá)到初步設(shè)計(jì)要求，為了優(yōu)化濾波器性能，引入U(xiǎn)形結(jié)構(gòu)，用以加強(qiáng)諧振級(jí)之間的磁耦合效應(yīng)，完成終的設(shè)計(jì)目標(biāo)。電路原理圖如圖1所示，其中L1和C1、L2和C2、L3和C3、L4和C4、L5和C5、L6和C6為六個(gè)等效為諧振單元的帶狀線，L7、L8、L9、L10、L11為相鄰帶狀線之間磁耦合等效的串聯(lián)電感，C16是加入Z字形結(jié)構(gòu)后的交叉耦合電容，L23和L45是引入U(xiǎn)形結(jié)構(gòu)后磁耦合等效串聯(lián)電感。

與其它集成技術(shù)相比，LTCC 有著眾多優(yōu)點(diǎn)：

可以制作層數(shù)很高的電路基板，并可將多個(gè)無(wú)源元件埋入其中，免除了封裝組件的成本，在層數(shù)很高的三維電路基板上，實(shí)現(xiàn)無(wú)源和有源的集成，有利于提高電路的組裝密度，進(jìn)一步減小體積和重量；

與其他多層布線技術(shù)具有良好的兼容性，例如將LTCC與薄膜布線技術(shù)結(jié)合可實(shí)現(xiàn)更高組裝密度和更好性能的混合多層基板和混合型多芯片組件；