方箱雙室磁控濺射鍍膜機廠多重優惠“本信息長期有效”

雙室磁控濺射系統

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設備簡介

主要特點是設備體積小，結構簡單緊湊易于操作，對實驗室供電要求低；該系列設備主要部件采用進口或者國內最優的配置，從而提高設備的穩定性；另外自主開發的智能操作系統在設備的運行重復性及安全性方面得到更好地保障。 目前該系列有基本型、旗艦型、豪華型、尊享型4種不同配置可供選擇，可以根據客戶的不同需求進行配置，比較靈活；標配4只Φ2英寸永磁靶，4臺500W直流濺射電源，主要用來開發納米級單層及多層的金屬導電膜、半導體膜以及絕緣膜等。期望大家在選購磁控濺射產品時多一份細心，少一份浮躁，不要錯過細節疑問。

磁控濺射介紹

以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，今天我們來分享磁控濺射產品的相關內容，希望對同行業的朋友有所幫助！

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。這是因為靶（陰極），等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。冷卻是一切源（磁控，多弧，離子）所必需，因為能量很大一部分轉為熱量，若無冷卻或冷卻不足，這種熱量將使靶源溫度達一千度以上從而溶化整個靶源。但若濺射絕緣體（如陶瓷），則回路斷了。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容，這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時接地技術很復雜，因而難大規模采用。為解決此問題，發明了磁控反應濺射。就是用金屬靶，加入氣和反應氣體如氮氣或氧氣。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉化，與反應氣體化合生成氮化物或氧化物。

自動磁控濺射系統概述

帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能，大到6'旋轉平臺，可支持到4個偏軸平面磁控管。磁控濺射——濺射技術介紹直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導體材料，不適于絕緣材料。系統配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 Torr，15分鐘內可以達到10-6 Torr的真空。通過調整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。

帶有14”立方形不銹鋼腔體，4個2”的磁控管，DC直流和RF射頻電源。 在選配方面，350 l/s渦輪分子泵，額外的磁控管和襯底加熱功能。

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