晶體硅逆變器回收多重優惠「多圖」

【廣告】

發布時間：2020-07-29 23:34

企業視頻展播，請點擊播放

視頻作者：蘇州振鑫焱光伏科技有限公司

電池片的檢驗

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。

背電場：

A 級：

背電場完整，厚薄均勻，允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 15% 。

新的標準：背電場完整，厚薄均勻，不允許有缺失

B 級：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 10% ，變色面積不超過背電場面積的 30% 。

新的標準：允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 15% 。

C 級：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 10% ，變色面積不超過背電場面積的 50% 。

新的標準：缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 50% 。

粗點：

粗點寬度≤ 0.18mm ，個數小于 2 個

新的標準：不允許有粗點

粗點寬度≤ 0.25mm ，個數小于 5 個

新的標準：允許有粗點，粗點寬度≤ 0.18mm ，個數小于 2 個

粗點寬度≤ 0.3mm ，個數小于 8 個

新的標準：當主柵線或副柵線有明顯粗細不均時，應用刻度顯微鏡進行查檢。

振鑫焱光伏科技有限責任公司長期購置：天價回收硅片，電池片，初中級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽電池，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級，庫存量，El，欠佳檢測，2手，舊，工程項目，拆裝，道路路燈，拆卸發電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗板，負債還款，返修，太陽能發電控制模塊收購等。

一14、漏漿

A級：漏漿單獨總面積低于0.5*0.5mm，總數低于3個

B級：跑模單獨總面積低于1。0*1.0mm總數不分

C級：跑模單獨總面積低于1。0*2。0mm總數不分

缺點/報廢片：

超過C級片的規定為缺點片，超過缺點片規定的為報費片。

注：（1）在一切正常包裝印刷圖型處時，依照“包裝印刷圖型”要求分辨，沒有包裝印刷圖型處時依照以上要求辨別。

（2）跑模在背靜電場或背電級時，依據鋁苞要求分辨

（3）跑模在側邊時，假如影象電池片電氣性能和外型時，則返修后再次歸類檢驗，隨后再次判斷，假如不危害電池片電氣性能和外型的時候一切正常排出

（4）硅晶掉下來按跑模總面積判斷新的規范：與舊的規范同樣側邊漏漿片做打磨拋光片解決打磨拋光片處理過程非鋁苞片：一概出口（不 Rsh≥6）零頭和滿包全入出口貨位備注名稱：DM選用黃標識鋁苞片：暫未作自購片待產品研發作部件實驗（ Rsh≥6）零頭入鋁苞零頭貨位滿包入鋁苞滿包貨位備注名稱：DM LB選用白標識

電池片的制作工藝

影響因素

1 ．頻率

射頻 PECVD 系統大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工業頻段射頻電源。較高頻率（ >4MHz ）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩定性。

2 ．射頻功率

增加 RF 功率通常會改善 SiN 膜的質量。但是，功率密度不宜過大，超過 1W/cm2 時器件會造成嚴重的射頻損傷。

3 ．襯底溫度

PECVD 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能保證氮化硅薄膜在HF 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應力很大且為張應力，而溫度高于 450 ℃ 時膜容易龜裂。

4 ．氣體流量

影響氮化硅膜沉積速率的主要氣體是 SiH4 。為了防止富硅膜，選擇NH3/SiH4=2~20 （體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應區下游反應氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。

5 ．反應氣體濃度

SiH4 的百分比濃度及 SiH4/NH3 流量比，對沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質均有重大影響。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉積的氮化硅的化學計量比會隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 SiN 。因此，必須控制氣體中的 SiH4 濃度，不宜過高，并采用較高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反應壓力、和反應室尺寸等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數。