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              正負光刻膠供應商優惠報價,北京賽米萊德公司

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              發布時間:2020-07-23 07:37  






              含硅光刻膠

              為了避免光刻膠線條的倒塌,線寬越小的光刻工藝,就要求光刻膠的厚度越薄。在20nm技術節點,光刻膠的厚度已經減少到了100nm左右。但是薄光刻膠不能有效的阻擋等離子體對襯底的刻蝕 [2]  。為此,研發了含Si的光刻膠,這種含Si光刻膠被旋涂在一層較厚的聚合物材料(常被稱作Underlayer),其對光是不敏感的。曝光顯影后,利用氧等離子體刻蝕,把光刻膠上的圖形轉移到Underlayer上,在氧等離子體刻蝕條件下,含Si的光刻膠刻蝕速率遠小于Underlayer,具有較高的刻蝕選擇性 [2]  。含有Si的光刻膠是使用分子結構中有Si的有機材料合成的,例如硅氧烷,,含Si的樹脂等


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              光刻膠的組成

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              樹脂( resin/polymer),光刻膠中不同材料的粘合劑,給與光刻膠的機械與化學性質( 如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等);感光劑,感光劑對光能發生光化學反應;溶劑(Solvent),保持光刻膠的液體狀態,使之具有良好的流動性;添加劑( Additive ),用以改變光刻膠的某些特性,如改善光刻膠發生反射而添加染色劑等。負性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯,一-種天然的橡膠;溶劑是;感光劑是一種經過曝光后釋放出氮氣的光敏劑,產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶于顯影液。負性光刻膠在曝光區由溶劑引起泡漲;曝光時光刻膠容易與氮氣反應而抑制交聯。



              光刻膠分類

              光刻膠按其形成圖形的極性可以分為:正性光刻膠和負性光刻膠。正膠指的是聚合物的長鏈分子因光照而截斷成短鏈分子;負膠指的是聚合物的短鏈分子因光照而交鏈長鏈分子。 短鏈分子聚合物可以被顯影液溶解掉,因此正膠的曝光部分被去掉,而負膠的曝光部分被保留。

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