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發(fā)布時(shí)間:2021-07-28 19:26  





光刻膠分類(lèi)
正性光刻膠和負(fù)性光刻膠
光刻膠可依據(jù)不同的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行分類(lèi)。按照化學(xué)反應(yīng)和顯影的原理,光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。如果顯影時(shí)未曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相反,稱(chēng)為負(fù)性光刻膠;如果顯影時(shí)曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相同,稱(chēng)為正性光刻膠。
在實(shí)際運(yùn)用過(guò)程中,由于負(fù)性光刻膠在顯影時(shí)容易發(fā)生變形和膨脹的情況,一般情況下分辨率只能達(dá)到 2 微米,因此正性光刻膠的應(yīng)用更為廣泛。
光刻膠分類(lèi)
1、負(fù)性光刻膠
主要有聚酸系(聚酮膠)和環(huán)化橡膠系兩大類(lèi),前者以柯達(dá)公司的KPR為代表,后者以O(shè)MR系列為代表。
2、正性光刻膠
主要以重氮醒為感光化臺(tái)物,以酚醛樹(shù)脂為基本材料。的有AZ-1350系列。正膠的主要優(yōu)點(diǎn)是分辨率高,缺點(diǎn)是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。
3、負(fù)性電子束光刻膠
為含有環(huán)氧基、乙烯基或環(huán)硫化物的聚合物。 的是COP膠,典型特性:靈敏度0.3~0.4μC/cm^2 (加速電壓10KV時(shí))、分辨率1.0um、 對(duì)比度0.95。限制分辨率
的主要因素是光刻膠在顯影時(shí)的溶脹。
4、正性電子束光刻膠
主要為甲酯、烯砜和重氮類(lèi)這三種聚合物。的是PMMA膠,典型特性:靈敏度40~ 80μC/cm^2 (加速電壓20KV時(shí))、分辨率0.1μm、 對(duì)比度2~3。
PMMA膠的主要優(yōu)點(diǎn)是分辨率高。主要缺點(diǎn)是靈敏度低,此外在高溫下易流動(dòng),耐干法刻蝕性差。
光刻膠的組成部分
光刻膠一般由4種成分組成:樹(shù)脂型聚合物、光活性物質(zhì)、溶劑和添加劑。樹(shù)脂是光刻膠中占比較大的組分,構(gòu)成光刻膠的基本骨架,主要決定曝光后光刻膠的基本性能,包括硬度、柔韌性、附著力、耐腐蝕性、熱穩(wěn)定性等。光活性物質(zhì)是光刻膠的關(guān)鍵組分,對(duì)光刻膠的感光度、分辨率等其決定性作用。
分辨率、對(duì)比度和敏感度是光刻膠的核心技術(shù)參數(shù)。隨著集成電路的發(fā)展,芯片制造特征尺寸越來(lái)越小,對(duì)光刻膠的要求也越來(lái)越高。光刻膠的核心技術(shù)參數(shù)包括分辨率、對(duì)比度和敏感度等。為了滿(mǎn)足集成電路發(fā)展的需要,光刻膠朝著高分辨率、高對(duì)比度以及高敏感度等方向發(fā)展。
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