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發布時間:2021-10-26 07:32  





對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應離子刻蝕時,通過調節兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳在不同的大氣壓下呈現的狀態是不同的,就像氧氣在101kPa時會呈現出液態。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體,發揮性較高.預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中,向反應管內通入氟氣,氟氣先和單質硅反應。
高純四氟化碳是純度在99.999%以上的四氟化碳產品,是一種無色無味氣體。高純四氟化碳不可燃燒,在常溫常壓條件下化學性質穩定,在密閉容器中遇高熱有危險,不溶于水,可溶于苯、等部分溶劑。四氟化碳是當前微電子工業中應用量高的等離子體蝕刻氣體,被廣泛應用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。除此之外,四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽能電池等領域有著應用。由碳與氟反應,或與氟反應,或碳化硅與氟反應,或氟石與石油焦在電爐里反應,都能生成四氟化碳。

四氟化碳貯存注意事項:氣瓶不得靠近火源,不得受日光曝曬,與明火距離一般應該不小于10米,氣瓶不得撞擊。氣瓶的瓶子嚴禁沾染油脂。四氟化碳作為制冷劑是一種無色不可燃氣體,能夠保障液體運輸的安全性。在臨床醫學中,四氟化碳還是一種高濃度的醉劑。由以上看出,四氟化碳的應用范圍廣泛,在下游電子產業等帶動下,行業快速發展。溫室氣體,其造成溫室效應的作用是二氧化碳的數千倍。氟代烴的低層大氣中比較穩定,而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。
隨著芯片制程向7納米邁進,細微雜質對芯片的損害更為明顯,電子產業對高純電子氣體的純度要求進一步提高,在此背景下,我國高純四氟化碳生產技術與產品質量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項:氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監察規程》的規定。氣瓶內的氣體不能全部用盡,應該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國人工智能、物聯網市場仍在不斷擴大,光伏發電累計裝機容量不斷上升,預計2020-2025年,我國高純四氟化碳市場需求將繼續以10.0%以上的增速增長。
