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光刻膠分類

市場上，光刻膠產品依據不同標準，可以進行分類。依照化學反應和顯影原理分類，光刻膠可以分為正性光刻膠和負性光刻膠。使用正性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相同；使用負性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相反。

按照感光樹脂的化學結構分類，光刻膠可以分為①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點；②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，其經光照后,發生光分解反應，可以制成正性膠；受全球半導體市場復蘇和國內承接產業轉移，預計全球光刻膠市場將保持穩定增速，國內市占率穩步抬升。③光交聯型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。

按照曝光波長分類，光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同，通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越小，加工分辨率越佳。5,顯影液在已經曝光的硅襯底膠面噴淋顯影液，或將其浸泡在顯影液中，正膠是曝光區、而負膠是非曝光區的膠膜溶入顯影液，膠膜中的潛影顯現出來，形成三維圖像。

光刻膠趨勢

半導體光刻膠領域全球市場規模趨于穩定， 2017年全球市場約13.5億美元；國內市場約20.2億元，近5年復合增速達12%。受全球半導體市場復蘇和國內承接產業轉移，預計全球光刻膠市場將保持穩定增速，國內市占率穩步抬升。

光刻膠生產、檢測、評價的設備價格昂貴，需要一定前期資本投入；化學結構特殊、保密性強、用量少、純度要求高、生產工藝復雜、品質要求苛刻，生產、檢測、評價設備投資大，技術需要長期積累。光刻膠企業通常運營成本較高，下游廠商認證采購時間較長，為在設備、研發和技術服務上取得競爭優勢，需要足夠的中后期資金支持。企業持續發展也需投入較大的資金，光刻膠行業在資金上存在較高的壁壘，國外光刻膠廠商相對于國內廠商，其公司規模更大，具有資金和技術優勢。

總體上，光刻膠行業得到國家層面上的政策支持。《國家集成電路產業發展推進綱要》，提出“研發光刻機、刻蝕機、離子注入機等關鍵設備，開發光刻膠、大尺英寸硅片等關鍵材料”；2μmResistThicknessNR71-1000PY0。國家重點支持的高新技術領域（2015）中提到“高分辨率光刻膠及配套化學品作為精細化學品重要組成部分，是重點發展的新材料技術”；光刻技術（包括光刻膠）是《中國制造 2025》重點領域。

光刻的工序

下面我們來詳細介紹一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少其它缺陷，提高光刻膠黏附性

基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。

自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術不斷被開發出來，例如：美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術、美國原CFM公司推出的Full-Flow systems封閉式溢流型清洗技術、美國VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學清洗技術（例Goldfinger Mach2清洗系統）、美國SSEC公司的雙面檫洗技術（例M3304 DSS清洗系統）、 日本提出無藥液的電介離子水清洗技術（用電介超純離子水清洗）使拋光片表面潔凈技術達到了新的水平、以HF / O3為基礎的硅片化學清洗技術。光刻膠去除半導體器件制造技術中，通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉移到半導體結構表面的光刻膠層中。

NR9-3000PY

四、對準（Alignment）

光刻對準技術是曝光前一個重要步驟作為光刻的三大核心技術之一，一般要求對準精度為細線寬尺寸的 1/7---1/10。隨著光刻分辨力的提高 ，對準精度要求也越來越高 ，例如針對 45am線寬尺寸 ，對準精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推動 ，對準技術也經歷 迅速而多樣的發展 。從對準原理上及標記結 構分類 ，對準技術從早期的投影光刻中的幾何成像對準方式 ，包括視頻圖像對準、雙目顯微鏡對準等，一直到后來的波帶片對準方式 、干涉強度對準 、激光外差干涉以及莫爾條紋對準方式 。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管，當時分辨率5um，如今除可見光光刻之外，更出現了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。從對準信號上分 ，主要包括標記的顯微圖像對準 、基于光強信息的對準和基于相位信息對準。