pvd真空鍍膜廠家誠信企業,東莞泰坦金屬制品

真空鍍膜主要利用輝光放電(glowdischarge)將氣(Ar)離子撞擊靶材du(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢很多。新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氣離子化,造成靶與氣離子間的撞擊機率增加,提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面，電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面，這個沖擊將使靶材的物質飛出而沉積在基板上形成薄膜。

真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面，它是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。簡單地說，在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發或濺射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法。

真空鍍膜的物理過程

PVD（物理氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：

（1）鍍料的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源

（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。

（3）鍍料粒子在基片表面的沉積

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　真空鍍膜加工已有200年的歷史。在19世紀可以說一直是處于探索和預研階段。探索者的艱辛在此期間得到充分體現。1805年, 開始研究接觸角與表面能的關系(Young)。1817年, 透鏡上形成減反射膜(Fraunhofer)。1839年, 開始研究電弧蒸發(Hare)。開始研究真空濺射鍍膜(Grove；Pulker)。1857年, 在氮氣中蒸發金屬絲形成薄膜(Faraday；Conn)。 1874年, 報道制成等離子體聚合物(Dewilde；Thenard)。1877年,薄膜的真空濺射沉積研究成功(Wright)。1880年, 碳氫化合物氣相熱解(Sawyer；Mann)。1887年, 薄膜的真空蒸發(坩堝) (Nahrwold；Pohl；Pringsheim)。開始研制形成減反射膜的化學工藝。研究成功四氯化鎢的氫還原法(CVD)； 膜厚的光學干涉測量法(Wiener)。

真空鍍膜機鍍塑料時抽真空時間過長主要原因就是塑料產品的放氣量太大或真空室有漏氣現象。

(1)真空室有漏氣現象：大家都知道，真空蒸發鍍膜機是的基本條件是工件在真空狀態下才能進行鍍膜加工的，若真空室有漏氣現象而沒有經過檢漏找出漏氣位置，則真空鍍很長時間都不能抽得上來的；

(2)即使真空室沒有漏氣，因為塑料產品的放氣量大，所以抽真空，特別是高真空很難達到。而且由于塑料產品的放氣，造成真空室內鍍膜氣體的不純，有雜氣的存在，造成鍍膜產品的顏色發暗，發黃，發黑等。

一般鍍制塑料產品的泵組都配置大功率或者大口徑的分子泵或者擴散泵，大馬拉小車的理論。