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發(fā)布時(shí)間:2021-08-27 12:30  





EMMI可廣泛應(yīng)用于偵測各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流,包括閘極氧化層缺陷(Gate oxide defects)、靜電放電破壞(ESD Failure)、閂鎖效應(yīng)(Latch Up)、漏電(Leakage)、接面漏電(Junction Leakage) 、順向偏壓(Forward Bias)及在飽和區(qū)域操作的晶體管,可藉由EMMI定位,找熱點(diǎn)(Hot Spot 或找亮點(diǎn))位置,進(jìn)而得知缺陷原因,幫助后續(xù)進(jìn)一步的失效分析。其實(shí)利用在檢測芯片的過程當(dāng)中,其實(shí)這種方法是非常有效的,關(guān)于emmi分析國內(nèi)目前的技術(shù)通常已經(jīng)達(dá)到了要求,在對芯片進(jìn)行檢測過程當(dāng)中,利用微光顯微鏡它的效果通常是非常明顯的。比如說如果說亮點(diǎn)被遮掩的過程當(dāng)中采用的是利用境外紅波的發(fā)光,通過拋光的處理來進(jìn)行探測,這樣才能夠有效的去發(fā)現(xiàn)金屬歸沉寂的有效缺陷。