武漢超高壓直插瓷片電容25KV多重優(yōu)惠 迪一環(huán)氧包封歐美標準

為什么選擇同方迪一高壓瓷片電容

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同方迪一分享瓷片電容的讀數(shù)方法

瓷片電容的讀數(shù)方法和電阻的讀數(shù)方法基本相同，分色標法、數(shù)標法和直標法3種。瓷片電容的基本單位用法拉（F）表示，其它單位還有：毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000納法（nF），1納法=1000皮法（pF）。

容量大的瓷片電容其容量值在電容上直接標明，如10μF/16V;

容量小的瓷片電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示;

字母表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF;

數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標稱容量的有效數(shù)字，第三位數(shù)字表示有效數(shù)字后面零的個數(shù)，它們的單位都是pF。

例如：102表示標稱容量為1000pF。

211表示標稱容量為210pF。

214表示標稱容量為21x10（4）pF。

在這種表示法中有一個特殊情況，就是當?shù)谌粩?shù)字用“9”表示時，是用有效數(shù)字乘上10的-1次方來表示容量大小。例如：219表示標稱容量為21x（10-1）pF=2.2pF。

同方迪一分享電解電容與瓷片電容作用有何不同?

一、瓷片電容與電解電容

瓷片電容(ceramic capacitor)是一種用陶瓷材料作介質，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫燒結后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。

電解電容是電容的一種，金屬箔為正極（鋁或鉭），與正極緊貼金屬的氧化膜（氧化鋁或五氧化二鉭）是電介質，陰極由導電材料、電解質（電解質可以是液體或固體）和其他材料共同組成，因電解質是陰極的主要部分，電解電容因此而得名。同時電解電容正負不可接錯。

二、瓷片電容與電解電容區(qū)別

電解電容與瓷片電容的構造和特性有很大的不同!前者是有極大容量低頻特性!后者是無小容量高頻特性!電解電容多用在藕合,濾波,退藕,等音頻及低通電路!容量多為幾微微法到0.1微法!

瓷片電容多用在振蕩,選頻,藕合,反饋等高頻和特高頻電路!瓷片電容的高頻特性很好!穩(wěn)定性也很好!是高頻電路里的常用電容!容量多為0.5微法到幾千至上萬微法!

同方迪一解析大瓷片電容并聯(lián)小瓷片電容的原因

瓷片電容是一種用陶瓷材料作介質，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫燒結后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。

市面上的電容器通常使用多層卷繞的方式制作，而容量越大的電容器體積一般也比較大，這導致了大容量電容器的分布電感比較大。在物理學中電感對高頻信號的阻抗是很大的，所以大瓷片電容的高頻性能往往不好。而一些小瓷片容量的電容器則剛剛相反，因為容量小體積可以也可以做得很小，這樣它具有了很好的高頻性能。

如果我們?yōu)榱俗尩皖l、高頻信號都可以很好的通過，我們常常在一個大瓷片電容再并上一個小瓷片電容的方式。例如使用的小電容為 0.1uF的瓷片電容器，當頻率更高時，還可并聯(lián)更小的電容器，如幾pF，幾百pF的。而在數(shù)字電路中，一般要給每個芯片的電源引腳上并聯(lián)一個0.1uF的 電容器到地，因為在這些地方的信號主要是高頻信號，使用較小的電容器濾波可以了。