封裝用IGBT測(cè)試儀廠家全國(guó)發(fā)貨 華科靜態(tài)參數(shù)IGBT

IGBT測(cè)試裝置技術(shù)要求 （1）設(shè)備功能 IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。系統(tǒng)的測(cè)試原理符合相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)為獨(dú)立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃堋?IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，在IGBT的檢測(cè)中，采用大電流脈沖對(duì)IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)。若元件的工作條件超過(guò)其參數(shù)數(shù)據(jù)，元件可能會(huì)立刻燒毀或造成性的損壞。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補(bǔ)償及步進(jìn)充電的方法，解決IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)問(wèn)題。

3、系統(tǒng)基本參數(shù)

3.1 電 壓 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；

3.2 加熱功能：室溫～150℃；

3.3 測(cè)試功能：可測(cè)試IGBT模塊及FRD；

3.4 環(huán)境溫度：25℃±15℃；

3.5 環(huán)境濕度：50% ±20% （相對(duì)濕度）

4、動(dòng)態(tài)測(cè)試基本配置

4.1 集電級(jí)電壓 Vcc： 50 ~ 1000V；

4.2 集電極電流 Ic： 50 ~ 1000A 感性負(fù)載；

4.3 電流持續(xù)時(shí)間 It： 10 ~ 1000 us 單個(gè)脈沖或雙脈沖的總時(shí)間； 4.4 脈 沖 模 式： 單脈沖和雙脈沖；

4.5 單電流脈沖的設(shè)置： Vcc，Ic, 電感值（自動(dòng)計(jì)算脈寬）；

4.6 雙電流脈沖的設(shè)置： Vcc, Ic, 電感值，間隙時(shí)間（10到50us）(脈寬自動(dòng)計(jì)算)；

（開(kāi)啟Qrr測(cè)試：第二個(gè)脈寬＝間隙時(shí)間，10~50us）；

4.7 設(shè)備寄生電感 Lint: < 65nH（感性動(dòng)態(tài)測(cè)試）。

5、感性負(fù)載

5.1 有效電感 L 100 200 500 1000 μH；

5.2 電流 Ic 1000 1000 1000 500 A；

外部電感成陣列的內(nèi)部連接。（外部電感的H值傳給PC，以計(jì)算電流源的極限，限制脈寬到1000us）。

6、標(biāo)準(zhǔn)的雙控制極驅(qū)動(dòng)

6.1 門(mén)極電阻可人工預(yù)先設(shè)定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；

6.2 開(kāi)啟（Trun-ON）輸出電壓 Vge ： 15V；

6.3 關(guān)斷（Trun-ON）輸出電壓 Vge- ： -15V；

6.4 脈寬： 10 ~ 1000us （單脈沖、雙脈沖總時(shí)間）；

6.5 電壓開(kāi)關(guān)時(shí)間： < 50ns；

6.6 輸出內(nèi)阻： < 0.5Ω；