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發布時間:2020-08-23 08:19  





光刻膠分類
市場上,光刻膠產品依據不同標準,可以進行分類。依照化學反應和顯影原理分類,光刻膠可以分為正性光刻膠和負性光刻膠。使用正性光刻膠工藝,形成的圖形與掩膜版相同;使用負性光刻膠工藝,形成的圖形與掩膜版相反。
按照感光樹脂的化學結構分類,光刻膠可以分為①光聚合型,采用烯類單體,在光作用下生成自由基,進一步引發單體聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特點;光刻膠的重要性在北京化工大學理學院院長聶俊眼里,我國雖然已成為世界半導體生產大國,但面板產業整體產業鏈仍較為落后。②光分解型,采用含有疊氮醌類化合物的材料,其經光照后,發生光分解反應,可以制成正性膠;③光交聯型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,形成一種不溶性的網狀結構,而起到抗蝕作用,可以制成負性光刻膠。
按照曝光波長分類,光刻膠可分為紫外光刻膠(300~450nm)、深紫外光刻膠(160~280nm)、極紫外光刻膠(EUV,13.5nm)、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠,其適用的光刻極限分辨率不同,通常來說,在使用工藝方法一致的情況下,波長越小,加工分辨率越佳。常規光刻膠涂布工序的優化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉速、環境溫度和濕度等,這些因素的穩定性很重要。
光刻膠的應用
光刻膠的應用
1975年,美國的國際半導體設備與材料協會首先為微電子工業配套的超凈高純化學品制定了國際統一標準——SEMI標準。1978年,德國的伊默克公司也制定了MOS標準。兩種標準對超凈高純化學品中金屬雜質和(塵埃)微粒的要求各有側重,分別適用于不同級別IC的制作要求。四、前烘(SoftBake)完成光刻膠的涂抹之后,需要進行軟烘干操作,這一步驟也被稱為前烘。其中,SEMI標準更早取得世界范圍內的普遍認可。
在光刻膠的生產上,我國主要生產PCB光刻膠,LCD光刻膠和半導體光刻膠生產規模較小, 2015年據統計我國光刻膠產量為9.75萬噸,其中中低端PCB光刻膠產值占比為94.4%,半導體和LCD光刻膠分分別占比1.6%和2.7%,嚴重依賴進口。今年5月,02重大專項實施管理辦公室組織任務驗收專家組、財務驗收專家組通過了“極紫外光刻膠材料與實驗室檢測技術研究”項目的任務驗收和財務驗收。
縱觀全球市場,光刻膠專用化學品生產壁壘高,國產化需求強烈。 化學結構特殊、保密性強、用量少、純度要求高、生產工藝復雜、品質要求苛刻,生產、檢測、評價設備投資大,技術需要長期積累。
至今光刻膠專用化學品仍主要被被日本合成橡膠(JSR)、東京應化(TOK)、住友化學、美國杜邦、美國futurrex、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。
光刻膠國內研發現狀
“造成與國際水平差距的原因很多。過去由于我國在開始規劃發展集成電路產業上,布局不合理、不完整,特別是生產加工環節的投資,而忽視了重要的基礎材料、裝備與應用研究。光刻膠國內的研發起步較晚光刻膠的研發,關鍵在于其成分復雜、工藝技術難以掌握。目前,整個產業是中間加工環節強,前后兩端弱,核心技術至今被TOK、JSR、住友化學、信越化學等日本企業所壟斷。
光刻膠的主要技術指標有解析度、顯影時間、異物數量、附著力、阻抗等。每一項技術指標都很重要,必須全部指標達到才能使用。因此,國外企業在配方、生產工藝技術等方面,對中國長期保密。中國的研發技術有待進一步發展