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電子芯片和LED芯片有什么主要區別？

電子芯片和LED芯片有什么主要區別？

1，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm這個量級，但同樣大小的集成電路里面有非常復雜的電路（常說的7nm/10nm工藝），IC設計和制造一樣為非常復雜高難度的工程，由此衍生既像Intel、三星這樣設計制造一體的公司，也有高通、蘋果這樣的Fabless公司及臺積電這樣的專業代工廠；而分立器件一顆die就是獨立的一個發光源再加上正負電極，里面的制程可能100um/10um級就夠了，制造工藝流程也簡單很多，從頭到尾一百次左右工序就差不多了。更談不上獨立的LED IC設計公司。

2，芯片制造廠對清潔和低缺陷率要求很高，前者可能影響性能，缺陷多了，載流子移動速度上不來，如同一批貨，有的能跑2.8GHz頻率，有的只能跑2G以下；LED芯片對發光層缺陷率的要求比硅器件還要高幾個數量級（印象中數據），否則嚴重影響發光效率，也就是很大部分能量以熱能形式損失掉了。LED技術和產品已有幾十年歷史，但大規模使用（如液晶屏幕背光）是這二十年來的事情，材料不行導致發光效率低是首要原因。

LED芯片原理

LED(Light Emitting Diode)，發光二極管，是一種固態的半導體器件，它可以直接把電轉化為光。LED的心臟是一個半導體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負極，另一端連接電源的正極，使整個晶片被環氧樹脂封裝起來。半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它里面空穴占主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個“P-N結”。當電流通過導線作用于這個晶片的時候，電子就會被推向P區，在P區里電子跟空穴復合，然后就會以光子的形式發出能量，這就是LED發光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。

LED芯片材料磊晶種類

1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs

3.MOVPE：metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN

4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs

5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(雙異型結構) GaAlAs/GaAs

6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(雙異型結構) GaAlAs/GaAlAs

中國LED芯片行業發展總結

1. 供過于求狀態或將持續

經LED芯片行業大洗牌，海外企業與國內二三線芯片廠商產能逐步收縮，國內大廠將依靠資金、技術、規模優勢繼續大規模擴產高i端產能，LED芯片產能逐步釋放，若無明顯的需求爆發拉動，供過于求狀態或將持續。

2. 優化傳統LED芯片業務

對于傳統通用照明產品毛利率的降低，各家企業將持續優化產品性能、提升可靠性和良率等，以降成本為目標。此外，高附加值、高毛利產品比重將提升。

3. 企業走差異化路線

各大企業將尋找新增長點，走差異化路線：一是加強Mini/Micro LED、UV LED、VCSEL等新興市場產品的開發，提升高i端產品的營收占比；二是或將重芯轉至化合物半導體領域，深化GaAs和GaN材料的研究和應用。