氧化鋅ZnO晶體-品質保證

氧化鋅（ZnO）晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能IBⅥA族半導體材料,具有優良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅（ZnO）晶體主要性能參數：晶體結構：六方；晶格常數：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔點：1975℃；熱膨脹系數：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；熱 容：0.125 cal /g.m；熱電常數：1200 mv/k @ 300 ℃；熱 導：0.006 cal/cm/k。

氧化鋅（ZnO）晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能IBⅥA族半導體材料,具有優良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅（ZnO）晶體隨著環境條件的改變形成不同結構的晶體。ZnO晶體中的化學鍵既有離子鍵的成分,又有共價鍵的成分,兩種成分的含量差不多,因而使得ZnO晶體中的化學鍵沒有離子晶體那么強,導致其在一定的外界條件下更容易發生晶體結構上的改變。

氧化鋅（ZnO）的帶邊發射在紫外區，非常適宜作為白光LED的激發光源材料，凸顯了氧化鋅（ZnO）在半導體照明工程中的重要地位，氧化鋅（ZnO）具有資源豐富、價格低廉、高的化學和熱穩定性，更好的抗輻照損傷能力，適合做長壽命器件等多方面的優勢。氧化鋅（ZnO）晶體隨著環境條件的改變形成不同結構的晶體。ZnO晶體中的化學鍵既有離子鍵的成分,又有共價鍵的成分,兩種成分的含量差不多,因而使得ZnO晶體中的化學鍵沒有離子晶體那么強,導致其在一定的外界條件下更容易發生晶體結構上的改變。