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發布時間:2020-10-07 06:22  





.●反饋光耦供電用12V供電,且取樣點在后級濾波電感前面更好。因為濾波電感前的波動更快的反映前端PWM的調制狀態,就算TL431的開啟程度是一定的,因為12V的波動可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異,在反饋環路一定的情況下,這個光耦供電取樣點的選擇更有利于動態響應和調整率的平衡控制。。●12V繞組應該放在更接近于初級繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小,因為我們反饋采樣的是5V端,所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個繞組的平衡度。雖然不能做到的好,但是相對的來說是有一定參考價值的。
如反激一次側的高壓MOS的D、S之間距離,依據公式500V對應0.85mm,DS電壓在700V以下是0.9mm,考慮到污染和潮濕,一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠,需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過炸機現象,增加安全距離后解決了,因為磁珠容易沾上殘留物 55.發一個驗證VCC的土方法,把產品放低溫環境(冰箱)幾分鐘,測試VCC波形電壓有沒有觸發到芯片欠壓保護點。 小公司設備沒那么全,有興趣的可以做個對比,看看VCC差異有多大關于VCC圈數的設計需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風孔,有利于散熱,小板也一樣,要考慮風路。