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              陜西封裝用IGBT測試儀廠家量大從優

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              發布時間:2020-07-25 05:03  

              3、技術指標 * 3.1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機臺可測IGBT項目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機臺可測MOS項目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測試項目 測量范圍 測試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1~10V VGE:0.1~10V±1%±0.01V;優勢行業:電力設備、地鐵、鐵路動力車組和運用大功率半導體器件進行設計、制造的行業。 解析度:0.01V 集電極電流Ic: 10~50mA±1%±0.5mA; 50~200mA±1%±1mA; 200~1000mA±1%±2mA;


              參數名稱 符號 參數名稱 符號

              開通延遲時間 td(on) 關斷延遲時間 td(off)

              上升時間 tr 下降時間 tf

              開通時間 ton 關斷時間 toff

              開通損耗 Eon 關斷損耗 Eoff

              柵極電荷 Qg

              短路電流 ISC / /

              可測量的FRD動態參數

              反向恢復電流 IRM 反向恢復電荷 Qrr

              反向恢復時間 trr 反向恢復損耗 Erec


              產品主要有電力半導體器件、組件、模塊(包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等)的檢測及可靠性設備,電氣自動化設備,電冶、電化學裝置,電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應加熱電源、感應加熱爐,晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅動器、遠距離光電轉換軟件控制系統、光電脈沖觸發板、IGBT的智能高壓驅動板等。5包裝、標志和運輸 賣方負責整套設備的包裝和運輸,并負擔由此產生的費用。


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