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發布時間:2020-11-17 12:37  





光子型探測器原理
光子型探測器利用外光電效應制成的光子型探測器是真空電子器件,如光電管、光電倍增管和紅外變像管等。這些器件都包含一個對光子敏感的光電陰極,當光子投射到光電陰極上時,光子可能被光電陰極中的電子吸收,獲得足夠大能量的電子能逸出光電陰極而成為自由的光電子。在光電管中,光電子在帶正電的陽極的作用下運動,構成光電流。光電倍增管與光電管的差別在于,在光電倍增管的光電陰極與陽極之間設置了多個電位逐級上升并能產生二次電子的電極(稱為打拿極)。從光電陰極逸出的光電子在打拿極電壓的加速下與打拿極碰撞,發生倍增效應,后形成較大的光電流信號。因此,光電倍增管具有比光電管高得多的靈敏度。紅外變像管是一種紅外-可見圖像轉換器,它由光電陰極、陽極和一個簡單的電子光學系統組成。雖然,硅-雪崩二極管(SiAPD)單光子探測器發展成熟,在400-1000nm波段有良好的探測性能,但是仍舊存在飽和計數率低、無法分辨光子數、日盲紫外波段探測效率低等不足,在抑制白光背景方面仍需深入研究。光電子在受到陽極加速的同時又受到電子光學系統的聚焦,當它們撞擊在與陽極相連的磷光屏上時,便發出綠色的光像信號。
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單光子探測技術
近年來,以量子密鑰分配為代表的各種量子信息技術應用獲得了飛速發展,這些應用對單光子探測器的性能提出了非常苛刻的要求,以光電倍增管和雪崩光電二極管為代表的傳統單光子探測器件已經無法滿足需求。在此背景下,出現了以超導單光子探測器為代表的新型低溫單光子探測器件,其性能比現有商用單光子探測器有了本質性的提升。北京和力達科技有限公司專業從事激光檢測產品,我們為您提供以上信息。本文綜述了迄今為止各種類型的單光子探測器,并指出各自在量子信息技術應用中的優勢和不足之處以及發展方向。
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單光子探測儀的材料
超導TES單光子探測器本質上屬于熱探測器的一種。典型的熱探測器包括吸收能量的吸收體,測量溫度變化的溫度計,維持恒定溫度的熱沉,以及吸收體和熱沉之間的弱熱連接。測器的核心是由一層生長在硅襯底上、尺寸在20 m×20 m左右、厚度為幾十納米的超導薄膜。在薄膜的兩端施加恒定電壓,由于低溫下薄膜中電子與聲子之間的弱熱耦合作用,焦耳熱功率的存在使薄膜電子系統的溫度Te高于聲子系統的溫度Tp,這被稱為“熱電子”效應.作為單光子探測器使用時,超導薄膜中的電子系統同時承擔了熱探測器的吸收體和TES溫度計的雙重功能。單光子探測技術入射的光子信號打到光電倍增器件上產生光電子,然后經過倍增系統倍增產生電脈沖信號,稱為單光子脈沖。由于薄膜中聲子系統與硅襯底之間較強的熱耦合作用,聲子系統的溫度等于硅襯底的溫度(Tp=Tb),聲子系統充當了熱探測器中的熱沉。薄膜電子系統和聲子系統之間的弱熱耦合構成了熱探測器所需要的弱熱連接。
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