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很多實驗研究發現，鈍化層或底層、濕氣滲透和/或裸片邊緣離層是晶圓級封裝常見的熱機械失效模式。此外，裸片邊緣是一個特別敏感的區域，我們必須給予更多的關注。事實上，扇入型封裝裸片是暴露于空氣中的（裸片周圍沒有模壓復合物覆蓋），容易被化學物質污染或發生現象。所涉及的原因很多，例如晶圓切割工序未經優化，密封環結構缺陷(密封環是指裸片四周的金屬花紋，起到機械和化學防護作用)。此外，由于焊球非常靠近鈍化層，焊球工序與線路后端棧可能會相互影響。先進封裝技術的特征是封裝小型化、模型化、高密度和高可靠，主要用于計算和通信領域的邏輯器件和存儲芯片的封測，進一步滲透到移動領域的模擬和射頻市場，成長空間大，是未來技術發展的主要方向。

WLCSP此封裝不同于傳統的先切割晶圓，再組裝測試的做法，而是先在整片晶圓上進行封裝和測試，然后再切割。半導體生產流程如下：由晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試組成。半導體封裝測試是指將通過測試的晶圓按照產品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。Single-ended此封裝形式的特點是引腳全部在一邊，而且引腳的數量通常比較少。它又可分為：導熱型，像常用的功率三極管，只有三個引腳排成一排，其上面有一個大的散熱片。CIS封裝行業主要是中國臺灣和大陸企業，19年一家科技公司關閉12寸CIS封裝線之后，全球主流的兩條12寸封裝線只有另外兩家科技公司。

半導體器件有許多封裝形式，按封裝的外形、尺寸、結構分類可分為引腳插入型、表面貼裝型和封裝三類。從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技術指標一代比一代先進。WLCSP有著更明顯的優勢：是工藝大大優化，晶圓直接進入封裝工序，而傳統工藝在封裝之前還要對晶圓進行切割、分類；CSP(ChipScalePackage)：芯片級封裝，該方式相比BGA同等空間下可以將存儲容量提升三倍，是由日本公司提出來的。所有集成電路一次封裝，刻印工作直接在晶圓上進行，設備測試一次完成，有別于傳統組裝工藝。20世紀80年代初發源于美國，為解決單一芯片封裝集成度低和功能不夠完善的問題，把多個高集成度、、高可靠性的芯片，在高密度多層互聯基板上組成多種多樣的電子模塊系統，從而出現多芯片模塊系統。

所謂封裝測試其實就是封裝后測試,把已制造完成的半導體元件進行結構及電氣功能的確認，以保證半導體元件符合系統的需求的過程稱為封裝后測試。WLCSP有著更明顯的優勢：是工藝大大優化，晶圓直接進入封裝工序，而傳統工藝在封裝之前還要對晶圓進行切割、分類；他們封裝測試設備需要更加貼近消費者市場，以支持產品創新，實現規模經濟效益。所有集成電路一次封裝，刻印工作直接在晶圓上進行，設備測試一次完成，有別于傳統組裝工藝。Dual此封裝形式的特點是引腳全部在兩邊，而且引腳的數量不算多。它的封裝形式比較多，又可細分為SOT、SOP、SOJ、SSOP、HSOP及其他。