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發(fā)布時間：2020-07-22 07:07
電池片的制作工藝
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。
影響因素
1. 印刷壓力的影響
在印刷過程中刮膠要對絲網(wǎng)保持一定的壓力，且這個力必須是適當?shù)摹Ｓ∷毫^大，易使網(wǎng)版、刮膠使用壽命降低，使絲網(wǎng)變形，導致印刷圖形失真。印刷壓力過小，易使?jié){料殘留在網(wǎng)孔中，造成虛印和粘網(wǎng)。在適當?shù)姆秶鷥?nèi)加大印刷壓力，透墨量會減小（漿料濕重減小），柵線高度下降，寬度上升。
2. 印刷速度的影響
印刷速度的設(shè)定必須兼顧產(chǎn)量和印刷質(zhì)量。對印刷質(zhì)量而言，印刷速度過快，漿料進入網(wǎng)孔的時間就短，對網(wǎng)孔的填充性變差，印刷出的柵線平整性受損，易產(chǎn)生葫蘆狀柵線。印刷速度上升，柵線線高上升，線寬下降。印刷速度變慢，下墨量增加，濕重上升。
3. 絲網(wǎng)間隙的影響
在其他條件一定的情況下，絲網(wǎng)間隙與濕重大致有如右圖的關(guān)系：兩者幾乎呈比例上升，之后絲網(wǎng)間隙加大，濕重降低，后突然變?yōu)榱恪＝z網(wǎng)印刷時使用的是曲線的前半段（即呈比例上升段）。由此可知，絲網(wǎng)間隙加大，下墨量多，濕重增大。絲網(wǎng)間隙過大，易使印刷圖形失真；過小，容易粘網(wǎng)。 刮膠硬度的影響 刮膠材料一般為聚胺脂或氟化橡膠，硬度 60 -90A 。刮膠硬度越大，印刷的圖形越準確，原圖的重現(xiàn)性越好。因此，正面柵線的印刷就需要選用硬度較高刮膠。刮膠硬度小，其他參數(shù)不變的情況下濕重就大，線高增加，線寬變大。
電池片絲網(wǎng)印刷技術(shù)
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電池片絲網(wǎng)印刷技術(shù)
印刷厚度：絲網(wǎng)和感光膜的厚度決定印刷后圖形的厚度即線條的厚度，如圖 10 所示，在一般情況下，絲網(wǎng)目數(shù)越低，絲經(jīng)越粗，印刷后的漿料層就越高，所用絲網(wǎng)目數(shù)較高時，印刷后漿料層就低一些。感光膜的厚度與絲網(wǎng)目數(shù)和線條的寬度有關(guān)：目數(shù)越高，絲徑越細，感光膜與絲網(wǎng)的接觸面積越小，二者的附著力減小，
果印刷線條變窄，增加感光膜的厚度易造成脫落，所以感光膜較薄，感光膜的厚度約為絲網(wǎng)厚度的 15 ％～ 25 ％；對于背鋁和背銀工序，選取250 目絲網(wǎng)，其厚度為 58um，感光膜厚度為 10 ～ 15um ，則印后厚度為 68 ～ 73μm ，這里計算出來的厚度時漿料的濕厚度（ wetthickness ）．需經(jīng)過烘干（ dry ）和燒結(jié)（ fire ）才是終厚度（干厚度），干厚度是濕厚度的 30% ～ 40% ；對于正銀工序，選取 330 目絲網(wǎng)，其厚度為 44um ，感光膜厚度為 5 ～ 10μm ，則印后濕厚度約為 49 ～ 54μm 。
選擇絲網(wǎng)絲徑及目數(shù)時，要求網(wǎng)格的孔長為漿料粉體粒徑的 2.5 ～ 5 倍；目數(shù)越低絲網(wǎng)越稀疏，網(wǎng)孔越大，油墨通過性就越好；網(wǎng)孔越小，油墨通過性越差，如圖 9 所示。
網(wǎng)框 ：網(wǎng)框大多采用硬鋁及鋁合金以承受繃網(wǎng)所產(chǎn)生的力，連接絲網(wǎng)的底面需要較高的平面度，約為 0.04mm × 150mm × 150mm ; 網(wǎng)框規(guī)格一般為承印物的 2 倍：以 150mm 電池片為例，承印物面積為
150mm × 150mm ，網(wǎng)框內(nèi)口的面積應(yīng)為300mm × 300mm 。
電池片生產(chǎn)工藝流程
振鑫焱光伏科技有限責任公司長期購置：天價回收硅片，電池片，初中級光伏電池，銀漿布，單晶硅，光伏電池，太陽能電池板，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級，庫存量，El，欠佳檢測，二手，舊工程項目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，聚酰薄膜，無界限結(jié)晶硅，光伏電池，單晶硅，試驗板，負債還款，返修，太陽能發(fā)電控制模塊收購等。
電池片生產(chǎn)流程
一
、
制絨
a.
目地
在硅單晶的表面產(chǎn)生坑凹狀表面，降低電池片的反射的自然光，提升二次反射的總面積。
一般狀況下，用堿解決是以便獲得金字塔狀磨砂皮；用酸處理是以便獲得蟲孔狀磨砂皮。無論是哪樣磨砂皮，都能夠提升硅單晶的陷光功效。
b.步驟
1.
基本標準下，硅與單純性的HF、HNO
3
（硅表面會被鈍化處理，二氧化硅與HNO
3
不反映）覺得不是反映的。但在二種混和酸的管理體系中，硅則能夠與水溶液開展不斷的反映
。
硅的氧化
氰化鈉/亞硝酸（HNO
2
）將硅氧化成二氧化硅（關(guān)鍵是亞硝酸將硅氧化）
Si 4HNO
3
=SiO
2
4NO
2
2H
2
O
(慢反映
3Si 4HNO
3
=3Si 
