清遠超高壓直插瓷片電容10KV生產基地「在線咨詢」

同方迪一瓷介電容濾波的原理 

如下圖所顯示為電容濾波電源電路，濾波電容容積大，因而一般選用電解法電容，在接線時要留意電解法電容的正、負級。電容濾波電源電路利用電容的充、充放電功效，使輸出電壓趨向光滑。

濾波基本原理

當u2為正自感電動勢而且標值超過電容兩直流電壓uC時，二極管D1和D3管導通，D2和D4管截至，電流量一路流過輸入電阻RL，另一路對電容C電池充電。

當uC>u2，導致D1和D3管反向偏置而截止，電容通過負載電阻RL放電，uC按指數規律緩慢下降。

同方迪一直插瓷片電容詳細介紹 

直插瓷片電容(ceramiccapacitor)是一種用結構陶瓷作物質，在瓷器表層涂敷一層金屬材料塑料薄膜，再經高溫煅燒后做為電級而成的電容器。一般用以高平穩震蕩回路中，做為回路、旁通電容器及墊整電容器。

直插瓷片電容分高頻率瓷介和低頻瓷介二種。具備小的正電容器溫度系數的電容器，用以高平穩震蕩回路中，做為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在輸出功率較低的回路中作旁通或隔直流電用，或對可靠性和耗損規定不太高的場所〈包含高頻率以內〉。這類電容器不適合應用在單脈沖電源電路中，由于他們便于被單脈沖工作電壓穿透。

按瓷介電容器電介質又分:1類電介質(NP0,C0G),2類電介質(X7R,2X1)和3類電介質(Y9V,2F4)瓷介電容器。E198MLCC(1類)—小型化,高頻率化,極低耗損,低ESR,高平穩,高抗壓,高絕緣層,高靠譜,無旋光性,低阻值,成本低,耐熱.關鍵運用于高頻電路中。

MLCC(2類)—小型化,高比容,中髙壓,無旋光性,高靠譜,耐熱,低ESR,成本低.關鍵運用于中,低頻電源電路中作隔直,藕合,旁通和過濾等電容器應用。

同方迪一解析大瓷片電容并聯小瓷片電容的原因

瓷片電容是一種用陶瓷材料作介質，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經高溫燒結后作為電極而成的電容器。通常用于高穩定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。

市面上的電容器通常使用多層卷繞的方式制作，而容量越大的電容器體積一般也比較大，這導致了大容量電容器的分布電感比較大。在物理學中電感對高頻信號的阻抗是很大的，所以大瓷片電容的高頻性能往往不好。而一些小瓷片容量的電容器則剛剛相反，因為容量小體積可以也可以做得很小，這樣它具有了很好的高頻性能。

如果我們為了讓低頻、高頻信號都可以很好的通過，我們常常在一個大瓷片電容再并上一個小瓷片電容的方式。例如使用的小電容為 0.1uF的瓷片電容器，當頻率更高時，還可并聯更小的電容器，如幾pF，幾百pF的。而在數字電路中，一般要給每個芯片的電源引腳上并聯一個0.1uF的 電容器到地，因為在這些地方的信號主要是高頻信號，使用較小的電容器濾波可以了。

同方迪一分享瓷片電容濾波的工作原理

如下圖所示為電容濾波電路，濾波電容容量大，因此一般采用電解電容，在接線時要注意電解電容的正、負極。電容濾波電路利用電容的充、放電作用，使輸出電壓趨于平滑。

濾波原理

當u2為正半周并且數值大于電容兩端電壓uC時，二極管D1和D3管導通，D2和D4管截止，電流一路流經負載電阻RL，另一路對電容C充電。當uC>u2，導致D1和D3管反向偏置而截止，電容通過負載電阻RL放電，uC按指數規律緩慢下降。

當u2為負半周幅值變化到恰好大于uC時，D2和D4因加正向電壓變為導通狀態，u2再次對C充電，uC上升到u2的峰值后又開始下降；下降到一定數值時D2和D4變為截止，C對RL放電，uC按指數規律下降；放電到一定數值時D1和D3變為導通，重復上述過程。