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PCB尺寸過大時，印制線條長，阻抗增加，抗噪聲能力下降，成本也增加；過小則散熱不好，且鄰近線條易受干擾。電路板的形狀矩形，長寬比為3：2或4：3，位于電路板邊緣的元器件，離電路板邊緣一般不小于2mm。(2) 放置器件時要考慮以后的焊接，不要太密集.(3) 以每個功能電路的核心元件為中心，圍繞它來進行布局。元器件應均勻、 整齊、緊湊地排列在PCB上，盡量減少和縮短各元器件之間的引線和連接, 去耦電容盡量靠近器件的VCC(4) 在高頻下工作的電路，要考慮元器件之間的分布參數。一般電路應盡可能使元器件平行排列。這樣，不但美觀，而且裝焊容易，易于批量生產。


之前是犯了這個很低級的錯誤，14.5V輸出用16V耐壓電容，量產有1%的電容失效不良。 20.電路設計，大電容或其它電容做成臥式時，底部如有跳線需放在負極電位，這樣跳線可以不用穿套管。 這個可以節省成本。 21.整流橋堆、二極管或肖特基，晶元大小元件承認書或在BOM表要有描述，如67mil。理由：管控供應商送貨一至性，避免供應商偷工減料，影響產品效率 另人煩腦的就是供應商做手腳，導致一整批試產的產品過不了六級能效，原因就是肖特基內部晶元用小導致。 22.電路設計，Snubber 電容，因為有異音問題，優先使用Mylar電容 。


有的時候只差2、3dB的時候換一個不同品牌會有驚喜。 EMI整改技巧之二 40.VCC上的整流二極管，這個對輻射影響也是很大的。 一個慘痛案例，一款過了EMI的產品，余量都有4dB以上，量產很多次了，其中有一次量產抽檢EMI發現輻射超1dB左右，不良率有50%，經過層層排查、一個個元件對換。終發現是VCC上的整流二極管引發的問題，更換之前的管子（留低樣品），余量有4dB。對不良管子分析，發現管子內部供應商做了鏡像處理。


如反激一次側的高壓MOS的D、S之間距離，依據公式500V對應0.85mm，DS電壓在700V以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠，需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過炸機現象，增加安全距離后解決了，因為磁珠容易沾上殘留物 55.發一個驗證VCC的土方法，把產品放低溫環境（冰箱）幾分鐘，測試VCC波形電壓有沒有觸發到芯片欠壓保護點。 小公司設備沒那么全，有興趣的可以做個對比，看看VCC差異有多大關于VCC圈數的設計需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風孔，有利于散熱，小板也一樣，要考慮風路。