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在負載RL中有電流流過，其電流大小取決于光電靶在該單元的電阻值大小。光照強處對應阻值較小，流過負載RL的電流就較大，因而RL兩端產生的壓降也就較大。光電效應當電子從外界獲得能量時將會跳到較高的能階，獲得的能量越多跳的能階也越高，電子處在較高的能階時并不穩定，很快就會把獲得的能量釋放回到原來的能階。負載電阻RL上形成電壓就是攝像管輸出的圖像信號。光電轉換過程（圖像的攝取過程）：被攝景物通過攝像機的光學鏡頭在光電靶上成像，被電子束將這幅圖像分解為像素，同時把各個像素的亮度轉變為在負載電阻RL上大小不同的電壓降，從而形成攝像管輸出信號。

稱之為光生電子空穴對(light-generatedelectron-holepairs)。電子空穴對的數目越多導電的效果也越好，因為光使得導電效果變好的現象稱之為光導效應(photoconductiveeffect)。主要用于下述幾個方面：能源----硅光電池串聯或并聯組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造成衛1星、宇宙飛船、航標燈、無人氣象站等設備的電源。自由電子與空穴的多寡對電氣特性有很大的影響，越多的自由電子與空穴可以使導電性增加，同時也可以使輸出電流增加，因此可以推測陽光越強時生成的自由電子與空穴越多，則輸出電流也越大。然而如果只是單純的產生自由電子與空穴，將會因為摩擦及碰撞等因素失去能量，后自由電子會與空穴復合而無法利用。

只有當光照射pn結時才能使耗盡層內產生載流子(電子-空穴對)，載流子被結內電場加速形成光電流。利用該原理制成的光電二極管稱為耗盡層光電二極管。1產生電場的方式很多如PN接面、金屬半導體接面等，其中最1常用的方式為PN接面。耗盡層光電二極管有pin層、pn層、金屬-半導體型、異質型等CCD(Charge Coupled Device)即電荷耦合器件，通過輸入面上光電信號逐點的轉換、儲存和傳輸，在其輸出端產生一時序信號。隨著科技的進步，CCD技術日臻完善，已廣泛用于安全防范、電視、工業、通信、遠程教育、可視網絡1電話等領域。

應用隨著傳統燃料能源的減少以及對環境造成的危害也越來越嚴重 ,能源問題日益成為制約國際社會經濟發展的瓶頸，越來越多的國家制定了大力發展太陽能的計劃。硫化1鎘光敏電阻對可見光敏感,用硫1化鎘單晶制造的光敏電阻對X射線、γ射線也敏感。例如，美國的“ 光伏建筑計劃”、歐洲的“百萬屋頂光伏計劃” ，日本的“朝日計劃 ” ，以及我國發展的“光明工程 ”等都極大地促進了太陽能的發展。當前太陽能電池產品類型主要有單晶硅、多晶硅、非晶硅、化合物半導體和疊層太陽能電池等，主要應用在以下領域。