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發布時間:2020-07-28 19:49  






反應性離子刻蝕
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反應性離子刻蝕 (reaction ionetching;RIE)是制作半導體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護膜時,利用反應性氣體的離子束,切斷保護膜物質的化學鍵,使之產生低分子物質,揮發或游離出板面,這樣的方法稱為反應性離子刻蝕。
離子束刻蝕機
具有一定能量的離子束轟擊樣品表面,把離子束動能傳給樣品原子,使樣品表面的原子掙脫原子間的束縛力而濺射出來,從而實現刻蝕目的。這是純粹的物理濺射過程。
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離子束刻蝕
離子束刻蝕技術是近年來發展起來的一種微細加工技術,它利用反應離子束轟擊團體表面時發生的濺射效應和化學反應剝離加工工作上的幾何圖形。具有極高的分辨率,能夠控制槽深和槽壁角度,表面應力小。反應離子束刻蝕技術已有效地用于研究和制造大規模和超大規模集成電路,聲表面波器件,磁泡存儲器,微波器件,集成光路,超導器件,閃爍光柵等。