電光相位調制器價格的行業須知

電光調制器的設計與選擇

調制晶體對電光調制的效果影響顯著，在選擇晶體時應注意以下幾點：光學性能好，折射率均勻，吸收色散損耗小，透明度高，電光系數大，物理性能優越等等。在整體光通信的光發射、傳輸、接收過程中，光調制器被用于控制光的強度，其作用是非常重要的。目前較常用的晶體材料包括鈮酸鋰和KDP類晶體，由于KDP類晶體的物理性能不佳，容易發生潮解，因此其調制性能往往受到環境限制，而鈮酸鋰晶體則具有優越的透光性和物理性能，是電光調制晶體設計的理想材料。

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選擇電光調制器推薦康冠光電

康冠光電在售的電光調制器，采用先進的鈮酸鋰質子交換工藝和鈦擴散工藝，可以實現相位調制和強度調制，具有高調制帶寬、低插入損耗、低半波電壓、高消光比等特點，在性能參數上可以取代國外調制器，性價比高，能夠滿足客戶在高速光通信、光纖傳感、微波光子學、量子信息、激光調制等領域的應用，此外還可根據用戶需求定制特殊結構和參數的調制器產品。電光效應即當把電壓加到電光晶體上時，電光晶體的折射率將發生變化，結果引起通過該晶體的光波特性的變化，實現對光信號的相位、幅度、強度以及偏振狀態的調制。

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電光調制器系列

850nm電光強度調制器KG-AM系列850nm鈮酸鋰電光強度調制器采用先進的質子交換工藝，具有低插入損耗、高調制帶寬、低半波電壓等特點，主要用于空間光通信系統、銫原子時間基準、脈沖發生器、量子光學等領域。

1064nm雙M-Z串聯強度調制器     

LiNbO3強度調制器具有良好的電光效應，廣泛應用于高速光通信系統、激光傳感和ROF系統中。基于MZ推拉結構和X切設計的KG-AM系列具有穩定的理化性能，可應用于實驗室實驗和工業系統。

高消光比電光強度調制器

KG-AM-HER系列高消光比電光強度調制器基于M-Z推挽結構，具有較低的半波電壓和穩定的物理化學特性，采用特定工藝保證了器件具有高的DC消光比，且器件具有較高的響應速率，因而被廣泛的應用于光脈沖發生器、激光雷達、光纖傳感等領域。