真空鍍膜設備廠家的行業須知「多圖」

CVD 制備銥高溫涂層人們之所以對作涂層材料感興趣是由于這類金屬優良的性能 。銥具有較強的能力和較高的熔點而受到重視, 是一種較理想的高溫涂層材料 。

20 世紀 60 年代以來, 世界航空航天技術飛速發展,一些高熔點材料(如石墨碳和鎢鉬鉭鈮等難熔金屬)被大量使用,但這些材料的一個共同的致命缺點是能力差。

60 年代美國材料實驗室(AFML)對石墨碳的銥保護涂層進行過大量的研究, 采用了多種成型方法制備銥涂層 ,其中包括化學氣相沉積法 。雖然沒有制備出質量令人滿意的厚銥涂層, 但仍認為 CVD 是一種非常有希望且值得進一步研究的方法。

射頻等離子體增強化學氣相沉積（RF-PCVD）

在低壓容器的兩極上加高頻電壓則產生射頻放電形成等離子體，射頻電源通常采用電容耦合或電感耦合方式，其中又可分為電極式和無電極式結構，電極式一般采用平板式或熱管式結構，優點是可容納較多工件，但這種裝置中的分解率遠低于1%，即等離子體的內能不高。電極式裝置設在反應容器外時，主要為感應線圈，如圖5，也叫無極環形放電，射頻頻率為13.56MHz。

對于需要更高的表面形態質量的應用（對于粗糙度，晶粒尺寸，化學計量和其他要求比沉積速率更重要的應用），濺射工藝似乎是一種替代方法。由于在冷卻過程中隨著溫度或基材（聚合物）熔化溫度的降低而產生的應力，沉積過程對某些應用提出了溫度限制。這導致濺射工藝在PVD沉積技術中變得更加重要，同時又不會忘記基于濺射工藝的新技術的出現，以滿足不斷增長的市場需求。