超高壓電纜型號優選企業 長能電力電纜

帶電測試外護套的接地電流：用鉗形電流表測試，單回路敷設電纜線路，一般不大于電纜負荷的10%；多回路敷設電纜線路，應注意外護套接地電流的變化趨勢，如有異常變化，應查明原因。發現問題應上報設備部和試研院。

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直埋敷設工程

1.1直埋電纜溝槽開挖

工藝標準

通過收資，了解電纜所經地區的管線或障礙物的情況，并在適當位置進行樣溝的開挖，開挖深度應大于電纜埋設深度。

按電纜路徑開挖溝槽，應滿足以下要求：

自地面至電纜上面外皮的距離，不小于0.7m，35kV及以上為1m。

穿越道路和農地時分別為1m和1.2m。

穿越城市交通道路和鐵路路軌時，應滿足設計規范要求并采取保護措施。

在寒冷地區施工，開挖深度還應滿足電纜敷設于凍土層之下，或采取穿管等特殊措施。

監理要點

巡視檢查電纜的固定情況符合設計要求，電纜與夾具間要有襯墊保護，個別地方支架過短應加裝延長支架。

對電纜在轉彎處時進行查看，應有墊鐵保護。

巡視檢查電纜固定在過渡支架上是否穩定，過渡支架焊接應符合設計要求。

巡視檢查電纜蛇形敷設的波節波幅符合設計要求。

檢查螺栓的緊固情況，卡具兩邊的螺栓要交叉緊固，不能過緊或過松。

電纜擾性固定圖

3.4纜蛇形布置

電纜在電纜溝、隧道、共同溝或橋體箱梁內敷設時應采用蛇形布置，即在每個蛇形弧的頂部把電纜固定于支架上，靠近接頭部位用夾具剛性固定。

電纜蛇形布置的參數選擇，應保證電纜因溫度變化產生的軸向應力無損電纜絕緣，不致對電纜金屬套長期使用產生疲勞斷裂，且宜按允許拘束力條件去認定。

水平蛇形布置時，宜在支撐蛇形弧的支架上設置滑板。

三相品字垂直蛇形布置時除在每個蛇形弧的頂部把電纜固定于支架上外，還應根據電動力核算情況加必要的綁扎帶綁扎

電纜登塔/引上敷設工程

4.1 電纜登塔/引上敷設

電纜登桿（塔）應設置電纜終端支架（或平臺）、避雷器、接地箱及接地引下線。終端支架的定位尺寸應滿足各相導體對接地部分和相間距離、帶電檢修的安全距離。

電纜敷設時蕞小彎曲半徑應符合規定。

單芯電纜應采用非磁性材料制成的夾具。登塔電纜夾具一般不大于1.5m。

設計要點

電纜于隧道內引上終端塔時，用引上支架固定。

電纜出地面后，地面埋管應進行防水封堵。

施工要點

需要登塔/引上敷設的電纜，在敷設時，要根據桿塔/引上的高度留有足夠的余線，余線不能打圈。

單芯電纜的夾具一般采用兩半組合結構， 并采用非導磁材料。

電纜在終端塔引上敷設固定時，固定金具與終端塔的連接位置應設置元寶鐵連接裝置，保證電纜引上彎曲度。

電纜敷設完畢后應及時按照設計要求將電纜在終端塔上用固定金具連續固定好。

電纜敷設前，對進場電纜型號、外觀、盤數量進行檢查，電纜型號應符合本工程設計要求，電纜外觀應無損傷，電纜數量應正確。

電纜敷設前，巡視檢查敷設使用機具應合格，無損壞。

電纜敷設前，巡視檢查施工人員個人防護用品應完好不損，并能正確使用。

式中：

R＇——單位長度電纜導體在θ℃溫度下的直流電阻；

A——導體截面積，如導體右n根相同直徑d的導線扭合而成，A=nπd2/4;

   ρ20——導體在溫度為20℃時的電阻率，對于標準軟銅 ρ20=0.017241Ω?mm2/m：對于標準硬鋁：ρ20=0.02864Ω?mm2/m；

α——導體電阻的溫度系數（1/℃）；對于標準軟銅：=0.00393℃-1；對于標準硬鋁：=0.00403℃-1；

    k1——單根導線加工過程引起金屬電阻率的增加所引入的系數。一般為1.02-1.07（線徑越小，系數越大）；具體可見《電線電纜手冊》表3-2-2；

k2——用多根導線絞合而成的線芯，使單根導線長度增加所引入的系數。對于實心線芯，=1；對于固定敷設電纜緊壓多根導線絞合線芯結構，=1.02（200mm2以下）～1.03（240mm2以上）

k3——緊壓線芯因緊壓過程使導線發硬、電阻率增加所引入的系數（約1.01）；

k4——因成纜絞合增長線芯長度所引入系數，對于多芯電纜及單芯分割導線結構，（約1.01）；]

k5——因考慮導線允許公差所引入系數，對于緊壓結構，約1.01；對于非緊壓型， k5=[d/(d-e)]2（d為導體直徑，e為公差）。

20℃導體直流電阻詳見下表（點擊放大）：

以上摘錄于《10(6)kV～500kV電纜技術標準》（Q∕GDW 371-2009 ）。

2.2 導體的交流電阻

在交流電壓下，線芯電阻將由于集膚效應、鄰近效應而增大，這種情況下的電阻稱為有效電阻或交流電阻。

電纜線芯的有效電阻，國內一般均采用IEC-287推薦的公式 :

R=R′(1 YS YP)

R——蕞高工作溫度下交流有效電阻，Ω/m；

R′——蕞高工作溫度下直流電阻，Ω/m；

YS——集膚效應系數，YS=XS4/(192 0.8XS4)，

XS4=（8πf/R′×10-7kS）2；

YP——鄰近效應系數，YP=XP4/(192 0.8XP4)(Dc/S)2{0.312(Dc/S)2 1.18/[XP4/(192 0.8XP4) 0.27]}，XP4=（8πf/R′×10-7kP）2。

XS4——集膚效應中頻率與導體結構影響作用；

XP4——鄰近效應中導體相互間產生的交變磁場影響作用；

f——頻率；

Dc——線芯直徑，m；

S——線芯中心軸間距離，m；

ks——線芯結構常數，分割導體ks=0.435，其他導體ks=1.0；