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電池片的檢驗

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背電場：

A 級：

背電場完整，厚薄均勻，允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 15% 。

新的標準：背電場完整，厚薄均勻，不允許有缺失

B 級：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 10% ，變色面積不超過背電場面積的 30% 。

新的標準：允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 15% 。

C 級：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 10% ，變色面積不超過背電場面積的 50% 。

新的標準：缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 50% 。

粗點：

粗點寬度≤ 0.18mm ，個數小于 2 個

新的標準：不允許有粗點

粗點寬度≤ 0.25mm ，個數小于 5 個

新的標準：允許有粗點，粗點寬度≤ 0.18mm ，個數小于 2 個

粗點寬度≤ 0.3mm ，個數小于 8 個

新的標準：當主柵線或副柵線有明顯粗細不均時，應用刻度顯微鏡進行查檢。

晶硅太陽能電池板的制作過程

晶硅太陽能光伏板的制做全過程 

3、去磷硅玻璃該加工工藝用以太陽能電池片生產加工全過程中，根據有機化學浸蝕法也即把硅片放到鹽酸水溶液中侵泡，使其造成放熱反應轉化成可溶的絡和物六氟硅酸，以除去外擴散制結后在硅片表層產生的一層層磷硅玻璃。在外擴散全過程中，POCL3與O2反映轉化成P2O5淀積在硅片表層。P2O5與Si反映又轉化成SiO2和磷分子，那樣就在硅片表層產生一層層帶有磷原素的SiO2，稱作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的機器設備通常由本身、清理槽、伺服電機驅動器系統軟件、機械手臂、電氣系統和全自動配酸系統軟件等一部分構成，關鍵能源有鹽酸、N2、空氣壓縮、純凈水，熱排風系統和污水。鹽酸可以融解sio2由于鹽酸與sio2反映轉化成容易揮發的四氟化硅汽體。若鹽酸過多，反映轉化成的四氟化硅會深化與鹽酸反映轉化成可溶的絡和物六氟硅酸。 

4、低溫等離子刻蝕因為在外擴散全過程中，即便選用背對背外擴散，硅片的全部表層包含邊沿都將難以避免地外擴散上磷。PN結的反面所搜集到的光生電子器件會順著邊沿外擴散有磷的地區流進PN結的反面，而導致短路故障。因而，務必對太陽電池附近的夾雜硅開展刻蝕，以除去充電電池邊沿的PN結。一般 選用低溫等離子刻蝕技術性進行這一加工工藝。低溫等離子刻蝕是在底壓情況下，反映汽體CF4的孕媽分子結構在頻射輸出功率的激起下，造成電離并產生等離子技術。等離子技術是由感應起電的電子器件和正離子構成，反映波導管中的汽體在電子器件的碰撞下，除開轉化成正離子外，還能消化吸收動能并產生很多的特異性基團。特異性反映基團因為外擴散或是在靜電場功效下抵達SiO2表層，在那邊與被刻蝕原材料表層產生放熱反應，并產生揮發物的反映反應物擺脫被刻蝕化學物質表層，被超濾裝置抽出來波導管。