分體式高壓固態(tài)軟起動(dòng)裝置價(jià)格歡迎來電,湖北億信華聯(lián)價(jià)格合理

    YMV高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜采用計(jì)算機(jī)控制技術(shù)和電力電子技術(shù)相結(jié)合，主回路的開關(guān)元件采用高壓大功率晶閘管，通過控制晶閘管來實(shí)現(xiàn)輸出電壓，起動(dòng)電流根據(jù)起動(dòng)條件得到控制，實(shí)現(xiàn)電動(dòng)機(jī)的平穩(wěn)起停。

    YMV高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜通過控制晶閘管可降低加在電機(jī)上的電壓，然后通過慢慢地控制加在電機(jī)上的電壓和電流平滑地增加電機(jī)轉(zhuǎn)矩，直到電機(jī)加速到全速運(yùn)行，可以有效減小起動(dòng)電流，同時(shí)晶閘管靜態(tài)、動(dòng)態(tài)均壓保護(hù)措施，應(yīng)具有技術(shù)先進(jìn)、結(jié)構(gòu)緊湊、安全可靠、維護(hù)方便等特點(diǎn)。可控硅高壓組件是由多個(gè)可控硅串并聯(lián)組成的，數(shù)量根據(jù)用戶電機(jī)電壓來決定。

YMV高壓固態(tài)軟起動(dòng)器應(yīng)符合下述使用條件與安裝方法，否則會影響使用壽命。

1、電源電壓：交流2.3KV~10KV,50/6OHz;

2、適配電機(jī)：高壓異步（同步）電動(dòng)機(jī)200~18500KW.

3、起動(dòng)頻率：每小時(shí)不超過4次；

4、環(huán)境溫度：-25~ 50℃；

5、符合標(biāo)準(zhǔn)：IEC、EN、NEMA、CSA、IEEE

6、濕環(huán)境溫度：5%~95%非凝結(jié)；

7、使用場合：無金屬屑、導(dǎo)電塵埃、腐蝕氣體及劇烈震動(dòng)的場所；

8、防護(hù)等級：IP00 IP32 IP54標(biāo)準(zhǔn)可選，可滿足于一般使用場合；

9、海拔高度：海拔超過3000米以下，如海拔超過，則適當(dāng)提高軟起動(dòng)的功率。

    高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜由湖北億信華聯(lián)機(jī)電設(shè)備制造有限公司專業(yè)生產(chǎn)，主回路采用晶閘管，通過逐步改變晶閘管的導(dǎo)通角來抬升電壓，完成啟動(dòng)過程，這是軟啟動(dòng)器的基本原理。目前在低壓軟啟動(dòng)器市場，產(chǎn)品繁多，但是高壓軟啟動(dòng)器產(chǎn)品還是比較少。

   高壓軟啟動(dòng)器與低壓軟啟動(dòng)器基本原理一樣，但是高壓軟啟動(dòng)器與低壓軟啟動(dòng)器相比，有些地方存在著其特殊性：

   1.高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜在高壓環(huán)境下工作，各種電氣元器件的絕緣性能一定要好，電子芯片的抗干擾能力要強(qiáng)。高壓軟起動(dòng)柜組成電氣柜時(shí)，電氣元器件的布局以及與高壓軟啟動(dòng)器與其它電氣設(shè)備的連接也是非常重要的。

   2.高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜必須有一個(gè)的控制核心，能對信號進(jìn)行及時(shí)和快速地處理。因此這個(gè)控制核心一般采用的DSP芯片，而不是低壓軟啟動(dòng)器的普通單片機(jī)芯。低壓軟啟動(dòng)器主回路由三組反并聯(lián)的晶閘管組成。停車方式：自由停車、軟停車、制動(dòng)剎車、軟聽 制動(dòng)剎車，還有點(diǎn)動(dòng)功能。而在高壓軟啟動(dòng)器中，由于目前單只高壓晶閘管的耐壓能力不夠，所以必須由多個(gè)高壓晶閘管串聯(lián)進(jìn)行分壓。但是每個(gè)晶閘管的性能參數(shù)沒有完全一致。晶閘管參數(shù)的不一致，會導(dǎo)致晶閘管開通時(shí)間不一致，從而導(dǎo)致晶閘管的損壞。因此在晶閘管的選配上，必須保證每一相的晶閘管參數(shù)盡可能地一致，并且每一相晶閘管的RC濾波電路的元件參數(shù)盡可能一致。 高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜的一個(gè)難點(diǎn)在晶閘管的觸發(fā)上。由于主回路有多個(gè)晶閘管，每個(gè)晶閘管需要一塊觸發(fā)板來完成觸發(fā)。