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發布時間:2020-10-31 06:59  





光刻膠的生產步驟
1、準備基質:在涂布光阻劑之前,硅片一般要進行處理,需要經過脫水烘培蒸發掉硅片表面的水分,并涂上用來增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物以及硅二乙胺。
2、涂布光阻劑(photo resist):將硅片放在一個平整的金屬托盤上,托盤內有小孔與真空管相連,硅片就被吸在托盤上,這樣硅片就可以與托盤一起旋轉。
3、軟烘干:也稱前烘。在液態的光刻膠中,溶劑成分占65%-85%,甩膠之后雖然液態的光刻膠已經成為固態的薄膜,但仍有10%-30%的溶劑,容易玷污灰塵。通過在較高溫度下進行烘培,可以使溶劑從光刻膠中揮發出來,從而降低了灰塵的玷污。
4、曝光:曝光過程中,光刻膠中的感光劑發生光化學反應,從而使正膠的感光區、負膠的非感光區能夠溶解于顯影液中。正性光刻膠中的感光劑DQ發生光化學反應,變為乙烯酮,進一步水解為茚并羧酸,羧酸對堿性溶劑的溶解度比未感光的感光劑高出約100倍,同時還會促進酚醛樹脂的溶解。于是利用感光與未感光的光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度,就可以進行掩膜圖形的轉移。
5、顯影(development) :經顯影,正膠的感光區、負膠的非感光區溶解于顯影液中,曝光后在光刻膠層中的潛在圖形,顯影后便顯現出來,在光刻膠上形成三位圖形。為了提高分辨率,幾乎每一種光刻膠都有專門的顯影液,以保證高質量的顯影效果。
6、硬烘干:也稱堅膜。顯影后,硅片還要經過一個高溫處理過程,主要作用是除去光刻膠中剩余的溶劑,增強光刻膠對硅片表面的附著力,同時提高光刻膠在刻蝕和離子注入過程中的抗蝕性和保護能力。
7、刻(腐)蝕或離子注入
8、去膠:刻蝕或離子注入之后,已經不再需要光刻膠作保護層,可以將其除去,稱為去膠,分為濕法去膠和干法去膠,其中濕法去膠又分去膠和無機溶劑去膠。
光刻膠相關信息
賽米萊德——專業光刻膠供應商,我們為您帶來以下信息。
光刻膠是印刷線路板、顯示面板、集成電路等電子元器件的上游。光刻膠產業鏈覆蓋范圍非常廣,上游為基礎化工材料行業、精細化學品行業,中游為光刻膠制備,下游為電子加工廠商、各電子器產品應用終端。由于上游產品直接影響下游企業的產品質量,下業企業對公司產品的質量和供貨能力十分重視,常采用認證采購的模式,進入壁壘較高。
在下游半導體、LCD、PCB等行業需求持續擴大的拉動下,光刻膠市場將持續擴大。2018年全球光刻膠市場規模為85億美元,2014-2018年復合增速約5%。據IHS,未來光刻膠復合增速有望維持5%。按照下游應用來看,目前半導體光刻膠占比24.1%,LCD 光刻膠占比26.6%,PCB 光刻膠占比24.5%,其他類光刻膠占比24.8%。
光刻膠的作用
光刻開始于-種稱作光刻膠的感光性液體的應用。 圖形能被映射到光刻膠上,然后用一個developer就能做出需 要的模板圖案。光刻膠又稱光致抗蝕劑,是以智能
管感光材料,在光的照射與溶解度發生變化。
光刻膠成份
光刻膠通常有三種成分:感光化臺物、基體材料和溶劑。在感光化臺物中有時還包括增感劑。根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類:負性光刻膠和
正性光刻膠。
1、負性光刻膠
主要有聚酸系(聚酯膠)和環化橡膠系兩大類
2、正性光刻膠
主要以重氮醒為感光化臺物,以酚醛樹脂為基體材料。正膠的主要優點是分辨率高,缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。
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