高壓快恢復二極管參數封裝品牌官網「多圖」

快恢復二極管原理定義

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快恢復二極管FRD（Fast Recovery Diode）是近年來問世的新型半導體器件，具有開關特性好，反向恢復時間短、正向電流大、體積小、安裝簡便等優點。超快恢復二極管（Superfast Recovery Diode），則是在快恢復二極管基礎上發展而成的，其反向恢復時間trr值已接近于肖特基二極管的指標。它們可廣泛用于開關電源、脈寬調制器（PWM）、不間斷電源（UPS）、交流電動機變頻調速（VVVF）、高頻加熱等裝置中，作高頻、大電流的續流二極管或整流管，是極有發展前途的電力、電子半導體器件。 

快速恢復二極管

14、快速關斷（階躍恢復）二極管(Step Recovary Diode)

它也是一種具有PN結的二極管。其結構上的特點是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區，從而形成"自助電場"。由于PN結在正向偏壓下，以少數載流子導電，并在PN結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經歷一個"存貯時間"后才能降至蕞小值（反向飽和電流值）。階躍恢復二極管的"自助電場"縮短了存貯時間，使反向電流快速截止，并產生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發生電路。快速關斷（階躍恢復）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。

二極管應用

晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。p-n結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。