臺(tái)灣手機(jī)納米真空鍍膜品牌企業(yè)「拉奇納米」

Parylene涂層是在室溫下在元件上自發(fā)形成的，不需要經(jīng)升溫固化過(guò)程，不需要對(duì)基材施加室溫以上的溫度和更多的時(shí)間來(lái)讓膜生長(zhǎng)。由于這種聚合是自發(fā)的不需要催化劑。促進(jìn)聚合的催化劑通常是離子或離子化合物，固化后它們會(huì)多少殘留一些在涂層里。這些殘留的物質(zhì)能參與電荷的遷移，在一定程度上影響涂層的電性能。又由于Parylene涂層是在室溫下形成的，因此可以防止主要因室溫和固化溫度變化不同由熱膨脹引起的應(yīng)力問(wèn)題。

杰出的絕緣性能

除了這些內(nèi)在的性質(zhì)以外Parylene類涂層有優(yōu)異的電性能，它有優(yōu)異的介電性能--低的介質(zhì)損耗和高的介電強(qiáng)度，同時(shí)它還具有優(yōu)良的機(jī)械性能，有高的機(jī)械強(qiáng)度和低的摩擦系數(shù)，這二者的結(jié)合使Parylene成為對(duì)小型繞線傷害元件能適用的絕緣層。

ParyleneC 在芳烴上一個(gè)氫被氯原子取代，具有非常低的水分子和腐蝕性氣體的透過(guò)率，沉積生長(zhǎng)速率也比N型快得多，是目前應(yīng)用廣、防護(hù)效果好的粉材。ParyleneD 在芳烴上二個(gè)氫被二個(gè)氯原子取代，具有阻燃性。在更高溫度下具有相對(duì)更好的物理及電性能，同時(shí)與N、和C型相比，具有更好的熱穩(wěn)定性。

ParyleneHT是苯環(huán)上的4個(gè)氫原子被氟取代，與C,N,D比較，其薄膜的介電強(qiáng)度高、介電常數(shù)低(即透波性能好)，熱穩(wěn)定性好。薄膜本身連續(xù)、致密、無(wú),短期耐溫可達(dá)450攝氏度，長(zhǎng)期耐溫可達(dá)350攝氏度,并具有強(qiáng)的抗紫外線能力，更適合作為高頻微波器件的防護(hù)材料。

Parylene是獨(dú)特的聚對(duì)(poly-P-xylylene)聚合物系列的通用名稱，是一種分子級(jí)敷型涂層材料，根據(jù)分子結(jié)構(gòu)的不同，可分為Parylene N、C、D、HT、F型等多種類型。Parylene D在較高溫度下仍有優(yōu)良的介電性能和物理機(jī)械性能，有較高的穩(wěn)定性。本文將對(duì)其單體制備方法和成膜方法進(jìn)行簡(jiǎn)單總結(jié)。

Parylene 薄膜的制備聚合過(guò)程

       常用制備派瑞林的方法是化學(xué)氣相沉積法(CVD)，反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生空間氣相化學(xué)反應(yīng)，在固態(tài)基體表面直接生成固態(tài)物質(zhì)，進(jìn)而在基材表面形成涂層的一種工藝技術(shù)。派瑞林薄膜制備過(guò)程為環(huán)狀二聚體在高溫下兩個(gè)相連碳鍵斷裂，生成具有活性的二單體，當(dāng)其從高溫環(huán)境進(jìn)入室溫環(huán)境的沉積室時(shí)，不穩(wěn)定的單體就會(huì)聚合成膜。整個(gè)制備工藝過(guò)程分為三步：?jiǎn)误w的汽化、裂解、在基材表面進(jìn)行附著沉積。

離子鍍：蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子碰撞電離后以離子沉積在固體表面，稱為離子鍍。這種技術(shù)是D.麥托克斯于1963年提出的。離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術(shù)的結(jié)合。一種離子鍍系統(tǒng)將基片臺(tái)作為陰極，外殼作陽(yáng)極，充入惰性氣體（如）以產(chǎn)生輝光放電。從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過(guò)等離子區(qū)時(shí)發(fā)生電離。正離子被基片臺(tái)負(fù)電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子（約占蒸發(fā)料的95％）也沉積在基片或真空室壁表面。