莆田氫氮檢漏儀擇優(yōu)推薦「博為光電」

氦質(zhì)譜檢漏儀的噪聲主要來源于電路噪聲和本底噪聲，目前設(shè)備電子線路和電子元件的改進(jìn)，使得電路噪聲已經(jīng)降得很低，因此氦質(zhì)譜檢漏儀的本底噪聲成為影響設(shè)備性能的主要因素。而其本底噪聲的產(chǎn)生主要是由于本底峰的不穩(wěn)定造成的，主要形成的原因包括：

一、離子源中的發(fā)射電流、加速電壓以及分析器的電磁參數(shù)不穩(wěn)定。

二、真空油脂、橡膠材料、有機(jī)絕緣材料都可吸附和再釋放出氦氣，而電離規(guī)，特別是磁放電真空規(guī)對氦有記憶效應(yīng)，其表面污染時就更為嚴(yán)重。

三、抽氣系統(tǒng)中抽速不穩(wěn)定和氦的反擴(kuò)散。

四、檢漏儀中空氣的本底影響。

五、殘余氣體分子對離子的散射作用。

六、燈絲和其他電極受機(jī)械振動引起的效應(yīng)。

因此，為盡量消除氦質(zhì)譜檢漏儀的本底噪聲，需要針對性的采取措施，如減少采用有機(jī)材料，不用磁放電規(guī)，提高檢漏儀的工作真空度，保證穩(wěn)定抽速等等。另外檢漏時切勿將大量的氦氣通進(jìn)儀器，避免本底太大，難以清除

背壓法氦質(zhì)譜檢漏的簡單步驟

質(zhì)譜檢漏實際應(yīng)用中有很多具體的方法，其中背壓法也是其中一種，我們來了解下背壓法氦質(zhì)譜檢漏的幾個步驟。

背壓法氦質(zhì)譜檢漏檢漏過程主要包括三個步驟：

首先是充壓。將被檢件在充有高壓示漏氣體的容器內(nèi)存放浸泡一定時間。如果被檢件有漏孔，示漏氣體會通過漏孔進(jìn)入到被檢件內(nèi)部。隨著浸泡時間的增加和充壓壓力的提高，這個被檢件內(nèi)部的示漏氣體分壓也會逐漸升高。

然后是凈化。用干燥氮氣或干燥空氣在充壓容器外部或在其內(nèi)部吹被檢件，在不具備氣源時可以靜置被檢件，這樣做的目的是去除吸附在被檢件外表面上的示漏氣體。這個過程中，會有部分示漏氣體從被檢件內(nèi)經(jīng)漏孔流失，導(dǎo)致被檢件內(nèi)部示漏氣體分壓力下降。因此凈化階段時間越長，示漏氣體的分壓將越大。

第三個步驟就是檢漏。經(jīng)過凈化的被檢件被放入真空室，真空室與檢漏儀相連，進(jìn)行檢漏。抽真空后，由于壓差作用，示漏氣體通過漏孔從被檢件內(nèi)部流出，而后經(jīng)過真空室進(jìn)入檢漏儀，根據(jù)檢漏儀的輸出指示可以判定漏孔的存在以及漏率。

氦質(zhì)譜檢漏儀調(diào)氦峰步驟

調(diào)氦峰在更換燈絲后及每天開始檢漏前檢查氦質(zhì)譜檢漏儀靈敏度達(dá)不到要求時進(jìn)行。

1、調(diào)氦峰方法：

開漏孔開關(guān)，單方向(從75~165V或從165~75V)調(diào)加速電壓“V”，使氦質(zhì)譜檢漏儀放大器輸出表指示值出現(xiàn)一個Zda值，然后關(guān)漏孔開關(guān)，如表頭指示值變小，說明氦質(zhì)譜檢漏儀接收到氦信號，即找到氦峰;如表頭指示值不變，說明不是氦峰，則繼續(xù)調(diào)“V”，直到找到氦峰(出現(xiàn)氦的“V”一般在85~150V之間)。

2、調(diào)氦峰分辨不好：

①氦和重離子分辨差。

②氦和輕離子分辨差。

3、調(diào)氦峰信號小：

①燈絲沒正對電離盒上的電子入口。

②燈絲離電離盒太遠(yuǎn)。

③分辨不好。

④燈絲質(zhì)量差(受油蒸汽污染或本身發(fā)射能力低)。