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在晶片上生長為外延片的步驟：

在單晶襯底上生長一薄層單晶工藝，稱為外延；長有外延層的晶體片稱為外延片；外延材料是LED的核心部分。LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數基本上取決于外延材料。 外延技術和設備分氣相外延、液相外延、金屬有機化合物氣相外延（MOCVD）,目前主流方式為 MOCVD，而 MOCVD 外延爐則是 LED 外延片和芯片制造過程中的蕞重要的設備，在2008年前后時期，一套 MOCVD 設備需要上千萬人民i幣左右。

把襯底放到外延爐中，然后控制化合物氣體在襯底上沉積，就像植物從地下生長上來一樣，化合物沉積到襯底上好像從襯底上生長上來的一樣，所以稱之為外延片生長。需要生長多層微米級別的不同層。

電子芯片和led芯片有什么區別？

我們平常所見到的電子芯片，比如arm芯片、ASIC芯片、FGPA芯片等，跟LED芯片主要有什么區別？LED芯片是不是只是把一大堆能發光的二極管布在晶圓上呢？LED芯片有沒有28nm、14nm這樣的制程的說法呢？

蕞大的不同是：1，材料不一樣，前者為硅基，后者為三五族化合物；2，前者是集成器件，后者是分立器件；3，后者對材料缺陷率要求更高。

電子芯片長在硅襯底上，中間各種光刻、刻蝕、摻雜、長膜、氧化等都以硅或二氧化硅材料為主；而LED長在藍寶石（Al2O3）、SiC或Si襯底上，緩沖層后長成后，再長N型GaN層和P型GaN層，中間一層多量i子阱發光層。電流經過PN結時因為電勢能的變化將多余的能量以光的形式散發出去，不同的電勢能差則光的能量也有不同，表現就是不同的發光顏色（如藍光、紅光LED，紅光能量低技術簡單，很多年以前就出來了；藍光LED能量高，難度大。藍光LED激發黃色熒光粉可產生白光）

“透明電極”芯片的結構與它的特點是什么?

所謂透明電極一是要能夠導電，二是要能夠透光。

這種材料現在較為廣泛應用在液晶生產工藝中，其名稱叫氧化銦錫，英文縮寫ITO，但它不能作為焊墊使用。

制作時先要在芯片表面做好歐姆電極，然后在表面覆蓋一層ITO再在ITO表面鍍一層焊墊。

這樣從引線上下來的電流通過ITO層均勻分布到各個歐姆接觸電極上，同時ITO由于折射率處于空氣與外延材料折射率之間，可提高出光角度，光通量也可增加。

什么是“倒裝芯片?它的結構如何?有哪些優點?

藍光LED通常采用Al2O3襯底，Al2O3襯底硬度很高、熱導率和電導率低，如果采用正裝結構，一方面會帶來防靜電問題，另一方面，在大電流情況下散熱也會成為較為主要的問題。

同時由于正面電極朝上，會遮掉一部分光，發光效率會降低。

大功率藍光LED通過芯片倒裝技術可以比傳統的封裝技術得到更多的有效出光。

現在主流的倒裝結構做法是：首先制備出具有適合共晶焊接電極的大尺寸藍光LED芯片，同時制備出比藍光LED芯片略大的硅襯底，并在上面制作出供共晶焊接的金導電層及引出導線層(超聲金絲球焊點)。

然后，利用共晶焊接設備將大功率藍光LED芯片與硅襯底焊接在一起。

這種結構的特點是外延層直接與硅襯底接觸，硅襯底的熱阻又遠遠低于藍寶石襯底，所以散熱的問題很好地解決了。

由于倒裝后藍寶石襯底朝上，成為出光面，藍寶石是透明的，因此出光問題也得到解決。

以上就是LED技術的相關知識，相信隨著科學技術的發展，未來的LED燈回越來越高i效，使用壽命也會由很大的提升，為我們帶來更大便利。