磁控濺射鍍膜機值得信賴 創世威納科技

磁控濺射鍍膜機

目前認為濺射現象是彈性碰撞的直接結果，濺射完全是動能的交換過程。當正離子轟擊陰極靶，入射離子當初撞擊靶表面上的原子時，產生彈性碰撞，它直接將其動能傳遞給靶表面上的某個原子或分子，該表面原子獲得動能再向靶內部原子傳遞，經過一系列的級聯碰撞過程，當其中某一個原子或分子獲得指向靶表面外的動量，并且具有了克服表面勢壘(結合能)的能量，它就可以脫離附近其它原子或分子的束縛，逸出靶面而成為濺射原子。隨著氧含量的增加,當膜的組分接近化學配比時,遷移率有所增加,但卻使載流子密度有所減少。

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由于ITO 薄膜的導電屬于n 型半導體性質,即其導電機制為還原態In2O3 放出兩個電子,成為氧空穴載流子和In3 ,被固溶的四價摻錫置換后放出一個電子成為電子載流子。顯然,不論哪一種導電機制,載流子密度均與濺射成膜時的氧含量有很大關系。隨著氧含量的增加,當膜的組分接近化學配比時,遷移率有所增加,但卻使載流子密度有所減少。這兩種效應的綜合結果是膜的光電性能隨氧含量的變化呈極值現象。(2)當膜層材料為貴重金屬時，靶的結構決定著靶材(形成薄膜的材料)，即該貴重金屬的利用率。對應極值的氧含量直接決定著“工藝窗口”的寬窄,它與成膜時的基底溫度、氣流量及膜的沉積速率等參數有關。為便于控制氧含量,我們采用混合比為85∶15 的氧混合氣代替純氧,氣體噴孔的設計保證了基底各處氧分子流場的均勻性。

磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

靶zhong毒現象

(1)正離子堆積：靶zhong毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進行下去。（2）陽極消失：靶zhong毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽極的電子無法進入陽極，形成陽極消失現象。磁控濺射鍍膜機原理由此可見，濺射過程即為入射離子通過一系列碰撞進行能量交換的過程，入射離子轉移到逸出的濺射原子上的能量大約只有原來能量的1%，大部分能量則通過級聯碰撞而消耗在靶的表面層中，并轉化為晶格的振動。

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直流濺射法

濺射過程中涉及到復雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10 eV），從而從晶格點陣中被碰撞出來，產生離位原子；從應用角度出發,通常要求ITO薄膜的成份是In2O3和SnO2,薄膜中銦錫低價化合物愈少愈好。這些離位原子進一步和附近的原子依次反復碰撞，產生碰撞級聯；當這種碰撞級聯到達靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材表面脫離從而進入真空。