X光機(jī)高壓陶瓷電容器型號(hào)優(yōu)選企業(yè) 北京七星飛行公司

電容器廠家講解低壓電容器選型的訣竅

可靠性高，體積小，充放電壽命長(zhǎng)，電壓高達(dá)150kV，放電電流大，介質(zhì)損耗＜0.1%。

電容的選擇，通常，應(yīng)該如何為我們的電路選擇一顆合適的電容呢？我們可以根據(jù)以下幾個(gè)方面進(jìn)行選擇。

1、靜電容量；

2、額定耐壓；

3、容值誤差；

4、直流偏壓下的電容變化量；

5、噪聲等級(jí)；

6、電容的類(lèi)型；

7、電容的規(guī)格。

那么，是否有捷徑可尋呢？其實(shí)，電容作為器件的外圍元件，都比較明確地指明了外圍元件的選擇參數(shù)，也就是說(shuō)，據(jù)此可以獲得基本的器件選擇要求，然后再進(jìn)一步完善細(xì)化之。其實(shí)選用電容時(shí)不僅僅是只看容量和封裝，具體要看產(chǎn)品所使用環(huán)境，特殊的電路必須用特殊的電容。當(dāng)線路受電端接有變化很大的沖擊負(fù)荷（如電弧爐、電焊機(jī)、電氣軌道等）時(shí)，串聯(lián)電容器能消除電壓的劇烈波動(dòng)。

高壓電容器預(yù)防故障的措施有哪些?

1)裝設(shè)熔斷器維護(hù)應(yīng)對(duì)每個(gè)單臺(tái)高壓陶瓷電容器設(shè)置熔斷器維護(hù)，請(qǐng)求熔絲的額外電流不得大于被維護(hù)電容器額外電流的1.3倍，這么可防止某臺(tái)電容器發(fā)作毛病時(shí)，因得不到及時(shí)切除而導(dǎo)致群爆事端的發(fā)作。

2)對(duì)不正常運(yùn)轉(zhuǎn)工況及時(shí)處理在運(yùn)轉(zhuǎn)中發(fā)現(xiàn)并聯(lián)電容器呈現(xiàn)鼓肚、接頭發(fā)熱、嚴(yán)峻滲(漏)油等異常情況，有必要將其退出運(yùn)轉(zhuǎn)。對(duì)已發(fā)作噴油、起火、爆1破等惡1性的事端，應(yīng)立即進(jìn)行停電查看，查明事端因素進(jìn)行處理后，方可更換新電容器繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)。

3)嚴(yán)厲操控運(yùn)轉(zhuǎn)電壓并聯(lián)高壓陶瓷電容器的運(yùn)轉(zhuǎn)電壓，有必要嚴(yán)厲操控在允許規(guī)模之內(nèi)。即并聯(lián)電容器的長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)轉(zhuǎn)電壓不得大于其額外電壓值的10%，運(yùn)轉(zhuǎn)電壓過(guò)高，將大大縮短電容器的使用壽命。電容器是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于電路中的隔直通交，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路，能量轉(zhuǎn)換，控制等方面。跟著運(yùn)轉(zhuǎn)電壓的升高，并聯(lián)高壓陶瓷電容器的介質(zhì)損耗將增大，使電容器溫度上升，加快了電容器絕緣的老化速度，形成電容器內(nèi)絕緣過(guò)早老化、擊穿而損壞。此外，在過(guò)高的運(yùn)轉(zhuǎn)電壓效果之下，電容器內(nèi)部的絕緣介質(zhì)會(huì)發(fā)作部分老化，電壓越高，老化越快，壽命越短。

電容器在yiliao器械中選型及應(yīng)用

無(wú)線感應(yīng)耦合充電

大量的感應(yīng)充電器采用返馳式轉(zhuǎn)換器。感應(yīng)充電為醫(yī)2療設(shè)備電池提供充電電能，同時(shí)，感應(yīng)充電器也被用于大量的便攜式設(shè)備(如牙刷)中。

縮小充電電池尺寸有助于減小采用無(wú)線感應(yīng)充電電路的植入式醫(yī)療2設(shè)備的體積。無(wú)線感應(yīng)充電器可為設(shè)備上安裝的微小薄膜(如Cymbet EnerChip)充電式儲(chǔ)能器件安全地充電。而另一方面，如果電容器長(zhǎng)期在高于其較高允許的溫度下運(yùn)行，又會(huì)加速電容器的熱老化。感應(yīng)充電器采用了并聯(lián)LC(電感、電容)諧振儲(chǔ)能電路的工作原理。圖1所示為Cymbet公司的CBC- eval-11 RF感應(yīng)充電器評(píng)估套件。

Vishay 595D系列1000uF鉭電容被用作Cymbet接收電路板的C5電容，為無(wú)線電發(fā)射等負(fù)載提供脈沖電流。此款感應(yīng)充電器的輸入與輸出之間具有良好的隔離，這是設(shè)備的重要要求。

在一些電壓較高的感應(yīng)充電器應(yīng)用中，需要采用高壓穩(wěn)定的電容作為諧振電容。由于感應(yīng)充電器的初級(jí)線圈需要采用交流電壓驅(qū)動(dòng)，因此必須對(duì)電容進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。感應(yīng)充電器需要具備高擊穿電壓(VBD)性能，同時(shí)，某些應(yīng)用中還需要防護(hù)高壓電弧放電。HVArc防護(hù)電容的VBD分布由器件采用的獨(dú)特設(shè)計(jì)來(lái)控制，VBD可達(dá)3kV或以上。為避免電弧放電，電路板一般敷有保護(hù)涂層，或者通過(guò)合理安排元器件布局達(dá)到高壓側(cè)與電路板其他部分隔離的效果，等。但這種方法往往需要很大的電路板空間，因?yàn)楦邏弘娐吠ǔ２捎皿w積較大的引線型通孔插裝電容。

用于MRI的新型無(wú)磁電容

磁共振成像(MRI)設(shè)備內(nèi)部或周邊電路中所使用的電容及其他電子元器件需要屏蔽或封裝在MRI室外。電容的電介質(zhì)、電極材料或端接材料中可能含有鐵質(zhì)或磁性材料。萬(wàn)1能轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)還可以用于直接控制小容量電動(dòng)機(jī)的起動(dòng)、調(diào)速和換向。為提高圖像分辨率，MRI系統(tǒng)的磁場(chǎng)水平不斷提高，而MRI室內(nèi)使用的電容會(huì)造成磁場(chǎng)畸變。因此，需要減少或完全消除大部分電容中的磁性材料。

較新推出的系列MLCC在電極和端子結(jié)構(gòu)中采用非鐵材料，來(lái)滿足消除磁化的要求。無(wú)磁結(jié)構(gòu)可以采用X7R和NPO電介質(zhì)。5、調(diào)諧：對(duì)與頻率有關(guān)的電路進(jìn)行系統(tǒng)調(diào)諧，比方手機(jī)、收音機(jī)、電視機(jī)。外形尺寸為0402至1812，符合相關(guān)規(guī)格。Vishay還在終測(cè)試時(shí)采用了專(zhuān)用電容分選設(shè)備，以確保所有無(wú)磁電容均能符合技術(shù)要求。