多靶磁控濺射儀價格優選商家「沈陽鵬程」

磁控濺射“磁控反應”介紹

磁控反應濺射絕緣體看似容易，而實際操作困難。特別是透明導電玻璃廣泛應用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。主要問題是反應不光發生在零件表面，也發生在陽極，真空腔體表面以及靶源表面，從而引起滅火，靶源和工件表面起弧等。德國萊寶發明的孿生靶源技術，很好的解決了這個問題。其原理是一對靶源互相為陰陽極，從而消除陽極表面氧化或氮化。冷卻是一切源（磁控，多弧，離子）所必需，因為能量很大一部分轉為熱量，若無冷卻或冷卻不足，這種熱量將使靶源溫度達一千度以上從而溶化整個靶源。

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磁控濺射鍍膜機的工作原理是什么？

磁控濺射原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與原子發生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。本產品可廣泛應用于觸摸屏ITO鍍膜、LCD顯示屏ITO鍍膜、薄膜太陽能電池背電極及AZO鍍膜、彩色濾光片鍍膜、電磁屏蔽玻璃鍍膜、AR鍍膜、裝飾鍍膜等產業領域。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與原子發生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材，經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用（ E X B drift）使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運動。至于靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關系。在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在次原理下工作。所不同的是電場方向，電壓電流大小而已

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自動磁控濺射系統概述

帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能，大到6'旋轉平臺，可支持到4個偏軸平面磁控管。主要問題是反應不光發生在零件表面，也發生在陽極，真空腔體表面以及靶源表面，從而引起滅火，靶源和工件表面起弧等。系統配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 Torr，15分鐘內可以達到10-6 Torr的真空。通過調整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。

帶有14”立方形不銹鋼腔體，4個2”的磁控管，DC直流和RF射頻電源。 在選配方面，350 l/s渦輪分子泵，額外的磁控管和襯底加熱功能。

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